[發明專利]一種掩膜版玻璃基板的清洗方法

有效

• 申請號: 201810890472.7
• 申請日: 2018-08-07
• 公開（公告）號: CN109047160B
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 李翼;李偉;徐根;張誠;周學文
• 申請（專利權）人: 湖南普照信息材料有限公司
• 主分類號: B08B3/08
• 分類號: B08B3/08;B08B3/12;B08B3/04
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 羅滿

本發明公開了一種掩膜版玻璃基板的清洗方法，首先通過將玻璃基板浸入濃硫酸與過氧化氫的比例的取值范圍為4:1至6:1的第一SPM洗劑中去除有機物類沾污；再通過將玻璃基板浸入中性無機洗劑與堿性無機洗劑的比例的取值范圍為1:4至1:6的混合液中進行超聲清洗可以去除玻璃基板表面較大的顆粒以及沾污；之后通過將所述玻璃基板浸入純水中進行超聲清洗可以去除玻璃基板表面較小的顆粒；最終將玻璃基板提拉出純水以完成干燥脫水，從而全方面的清除玻璃基板表面的各種顆粒以及沾污。

技術領域

本發明涉及芯片制造領域，特別是涉及一種掩膜版玻璃基板的清洗方法。

背景技術

隨著近年來科技不斷的進步，芯片的制備工藝得到了極大的發展，其中掩模版在芯片制備工藝中起到了重中之重的作用。

在現階段，通常都是通過光刻的方法，使用掩模版在芯片的基底上刻蝕線路圖案，掩膜版是光刻復制圖形的基準和藍本，掩膜版上的任何缺陷都會對最終圖形精度產生嚴重的影響，所以掩膜版必須保持“完美”。而在掩膜版的制作工藝中，來源于玻璃基底本身的缺陷或微小沾污占整個掩膜版制作工藝的70至80％。該玻璃基底本身的沾污及任何殘留在基底表面的沾污都可傳播和擴散到掩膜版內部，甚至擴散到后續的半導體芯片內部。最終這些缺陷與沾污都將造成掩膜版成品率的大大損失及可靠性降低，進而導致掩膜版“不完美”。

所以如何提供一種可以全方面清洗掩膜版玻璃基板的方法是本領域技術人員急需解決的問題。

發明內容

本發明的目的是提供一種掩膜版玻璃基板的清洗方法，可以有效去除玻璃基底表面的各種沾污以及顆粒。

為解決上述技術問題，本發明提供一種掩膜版玻璃基板的清洗方法，其特征在于，包括：

將玻璃基板浸入第一SPM洗劑中；其中，所述第一SPM洗劑中濃硫酸與過氧化氫的比例的取值范圍為4:1至6:1，包括端點值；

將所述玻璃基板浸入純水中，以清洗所述玻璃基板表面殘留的所述第一SPM洗劑；

在清洗所述玻璃基板表面殘留的所述第一SPM洗劑之后，將所述玻璃基板浸入包括中性無機洗劑和堿性無機洗劑的混合液中進行超聲清洗；其中，所述中性無機洗劑與所述堿性無機洗劑的比例的取值范圍為1:4至1:6，包括端點值；

將所述玻璃基板浸入純水中進行超聲清洗，以清洗所述玻璃基板表面殘留的所述混合液；

在清洗所述玻璃基板表面殘留的所述混合液之后，以預設的提拉速度從所述純水中提拉出所述玻璃基板。

可選的，所述第一SPM洗劑的溫度的取值范圍為80℃至100℃，包括端點值。

可選的，所述將所述玻璃基板浸入純水中包括：

將所述玻璃基板浸入具有第一溫度的純水中，所述第一溫度的取值范圍為40℃至60℃，包括端點值；

在將所述玻璃基板浸入具有第一溫度的純水中之后，將所述玻璃基板浸入具有室溫溫度的純水中。

可選的，所述預設的提拉速度的取值范圍為2mm/s至10mm/s，包括端點值。

可選的，所述將所述玻璃基板浸入純水中進行超聲清洗包括：

將所述玻璃基板浸入純水中進行兆級超聲清洗。

可選的，所述將所述玻璃基板浸入純水中進行兆級超聲清洗包括：

將所述玻璃基板浸入純水中；

使用至少兩個頻率的超聲波交替對所述玻璃基板進行兆級超聲清洗。

可選的，所述混合液的溫度的取值范圍為30℃至50℃，包括端點值。