[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810886808.2
• 申請日: 2018-08-06
• 公開（公告）號: CN110277406B
• 公開（公告）日: 2023-09-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 小山幸紀
• 申請（專利權(quán)）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: H10B43/20
• 分類號: H10B43/20;H10B41/20
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 楊林勳

半導(dǎo)體存儲裝置具備：襯底；第1電極，具有第1面及第2面，第1面在與襯底的表面平行的第1方向延伸，在第1方向及與第1方向交叉且相對于襯底垂直的第2方向擴展；第2電極，具有第3面及第4面；信號線，設(shè)置在第2面與第4面之間；第1電荷保持膜，具有第1部及第2部，第1部設(shè)置在信號線與第2面之間，第2部設(shè)置在相對于第1部朝第2面的方向在第3方向突出的位置；及第2電荷保持膜，具有第3部及第4部，第3部設(shè)置在信號線與第4面之間，第4部設(shè)置在相對于第3部朝第4面的方向在第3方向突出的位置；與襯底平行且與第1方向交叉的第3方向上，第2面與第4面的間隔大于第1面與第3面的間隔。

[相關(guān)申請案]

本申請案享有以日本專利申請案2018-48447號(申請日：2018年3月15日)為基礎(chǔ)申請案的優(yōu)先權(quán)。本申請案通過參照該基礎(chǔ)申請案而包含基礎(chǔ)申請案的全部內(nèi)容。

技術(shù)領(lǐng)域

實施方式涉及一種半導(dǎo)體存儲裝置。

背景技術(shù)

在包含呈三維配置的存儲單元的NAND(NOT?AND，與非)型存儲裝置中，隨著存儲單元微細化而流經(jīng)存儲單元的單元電流降低。

發(fā)明內(nèi)容

實施方式提供一種能夠增大單元電流的半導(dǎo)體存儲裝置。

實施方式的半導(dǎo)體存儲裝置具備：襯底；第1電極，具有第1面及第2面，該第1面在與所述襯底的表面平行的第1方向上延伸，在所述第1方向及與所述第1方向交叉且相對于所述襯底垂直的第2方向上擴展，該第2面設(shè)為在所述第1方向及所述第2方向上擴展，周緣與所述第1面連接，且相對于所述第1面在與所述襯底平行且與所述第1方向交叉的第3方向上突出；第2電極，具有第3面及第4面，該第3面在所述第1方向上延伸，在所述第3方向上與所述第1電極隔開設(shè)置，且在所述第1方向與所述第2方向上擴展，該第4面設(shè)為與所述第2面對向地在所述第1方向及所述第2方向上擴展，周緣與所述第3面連接，且相對于所述第3面在所述第3方向上突出；信號線，設(shè)置在所述第2面與所述第4面之間，且在所述第2方向上延伸；第1電荷保持膜，具有第1部及第2部，該第1部設(shè)置在所述信號線與所述第2面之間，且設(shè)置在所述第1方向上的兩端，該第2部位于所述第1部之間，且設(shè)置在相對于所述第1部朝所述第2面的方向在所述第3方向上突出的位置；以及第2電荷保持膜，具有第3部及第4部，該第3部設(shè)置在所述信號線與所述第4面之間，且設(shè)置在所述第1方向上的兩端，該第4部位于所述第3部之間，且設(shè)置在相對于所述第3部朝所述第4面的方向在所述第3方向上突出的位置；且所述第3方向上，所述第2面與所述第4面的間隔大于所述第1面與所述第3面的間隔；在通過所述第1電荷保持膜及所述第2電荷保持膜的與所述襯底的表面平行的截面中，所述信號線的輪廓是由第5部、第6部、第7部及第8部形成，該第5部與所述第2部對向，該第6部與所述第4部對向，該第7部與所述第5部的所述第1方向上的一端及所述第6部的所述第1方向上的一端連接，且該第7部以朝向所述第1方向的方式設(shè)置，該第8部與所述第5部的所述第1方向上的另一端及所述第6部的所述第1方向上的另一端連接，且該第8部以朝向與所述第7部相反的所述第1方向的方式設(shè)置；所述第7部包含曲率與所述第5部的所述一端的附近的曲率或所述第6部的所述一端的附近的曲率不同的部分；所述第8部包含曲率與所述第5部的所述另一端的附近的曲率或所述第6部的所述另一端的附近的曲率不同的部分。

附圖說明

圖1(a)、(b)是表示第1實施方式的存儲裝置的示意圖。

圖2(a)、(b)是表示第1實施方式的存儲裝置的制造過程的示意圖。

圖3(a)、(b)是表示繼圖2后的制造過程的示意圖。

圖4(a)、(b)是表示繼圖3后的制造過程的示意圖。

圖5(a)、(b)是表示繼圖4后的制造過程的示意圖。

圖6是表示繼圖5后的制造過程的示意圖。

圖7(a)、(b)是表示繼圖6后的制造過程的示意圖。