[發明專利]修調電阻及其制造方法

有效

• 申請號: 201810864143.5
• 申請日: 2018-08-01
• 公開（公告）號: CN109037191B
• 公開（公告）日: 2020-08-28
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 南京溧水高新創業投資管理有限公司
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525
• 代理公司: 深圳峰誠志合知識產權代理有限公司 44525
• 代理人: 李明香

1.一種修調電阻，其特征在于：其包括襯底、形成在所述襯底上的介質層、形成在所述介質層上表面的金屬絲、在所述金屬絲長度方向上位于所述金屬絲兩側上方的修調窗口，所述金屬絲包括第一金屬層、間隔形成在所述第一金屬層上表面的第二金屬層及間隔形成在所述第二金屬層上表面的第三金屬層，所述修調電阻還包括位于所述第一金屬層上方的熔絲窗口、形成在所述第三金屬層及所述介質層上表面的鈍化層及穿過所述鈍化層、金屬絲形成在所述介質層上的溝槽，在垂直于所述襯底的方向上位于所述介質層上的第一金屬層高于所述溝槽的底部。

2.根據權利要求1所述的修調電阻，其特征在于：所述溝槽在所述介質層內的深度小于所述介質層的厚度。

3.根據權利要求1所述的修調電阻，其特征在于：所述第一金屬層的材料與所述第二金屬層的材料不同，與所述第三金屬層的材料相同。

4.一種根據權利要求1所述的修調電阻的制備方法，其特征在于，包括以下工藝步驟：

S1：提供一個襯底，在所述襯底上形成介質層；

S2：在所述介質層上同時形成第一金屬層、與所述第一金屬層上表面相連的第二金屬層及與所述第二金屬層上表面相連的第三金屬層；

S3：刻蝕去除位于所述金屬絲兩端的一部分，使對應的位置露出所述介質層，在所述第三金屬層及所述介質層的上表面形成鈍化層；

S4：對所述金屬絲長度方向上位于所述金屬絲兩側上方的鈍化層進行光刻形成修調窗口，同時所述第三金屬層在所述修調窗口對應的位置被去除；

S5：去除所述修調窗口之間的部分第三金屬層且在此位置對應所述第二金屬層上方形成熔絲窗口，并穿過所述鈍化層、金屬絲在所述介質層上形成溝槽；

S6：進行各向同性腐蝕，去除所述熔絲窗口下方的第二金屬層，保留所述熔絲窗口下方的第一金屬層，在垂直于所述襯底的方向上位于所述介質層上的第一金屬層高于所述溝槽的底部，最后得到修調電阻。

5.根據權利要求4所述的修調電阻的制備方法，其特征在于：所述第一金屬層與所述第三金屬層的材料均為氮化鈦，所述第二金屬層的材料為鋁。

6.根據權利要求4所述的修調電阻的制備方法，其特征在于：所述步驟S3中，采用干法刻蝕去除所述金屬絲兩端的一部分。

7.根據權利要求4所述的修調電阻的制備方法，其特征在于：所述步驟S4中，先向所述金屬絲長度方向上位于所述金屬絲兩側上方的鈍化層的上表面涂覆光刻膠形成第一光刻膠層，再進行所述鈍化層的光刻，對應位置露出所述第二金屬層。

8.根據權利要求4所述的修調電阻的制備方法，其特征在于：所述步驟S5中，向所述修調窗口涂覆光刻膠形成第二光刻膠層，再所述修調窗口之間的鈍化層進行光刻，對應位置露出所述第二金屬層。

9.根據權利要求4所述的修調電阻的制備方法，其特征在于：所述熔絲窗口垂直于所述襯底的投影區域面積小于所述修調窗口垂直于所述襯底的投影區域面積。

10.根據權利要求4所述的修調電阻的制備方法，其特征在于：所述步驟S6中，在形成所述修調電阻之前，去除所有光刻膠。