[發(fā)明專利]介質(zhì)冷卻設(shè)備和圖像形成設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810863762.2
• 申請日: 2018-08-01
• 公開（公告）號: CN109541920B
• 公開（公告）日: 2023-02-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 西川聰;岸本輝樹;佐伯崇;浜場圭二郎;川島伸二;百村裕智;三通田真也
• 申請（專利權(quán)）人: 富士膠片商業(yè)創(chuàng)新有限公司
• 主分類號: G03G15/20
• 分類號: G03G15/20
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 馬爽;臧建明

1.一種介質(zhì)冷卻設(shè)備，包括：

第一冷卻單元，通過在介質(zhì)與所述第一冷卻單元的外表面接觸時從所述介質(zhì)吸收熱量來冷卻所述介質(zhì)；

第二冷卻單元，在介質(zhì)傳送方向上布置在所述第一冷卻單元的下游側(cè)，且通過在所述介質(zhì)與所述第二冷卻單元的外表面接觸時從所述介質(zhì)吸收熱量來冷卻所述介質(zhì)，且被設(shè)定成使得吸熱量小于所述第一冷卻單元的吸熱量；

攪拌構(gòu)件，布置于所述第一冷卻單元及所述第二冷卻單元的至少其中之一的內(nèi)部空間中且攪拌在所述內(nèi)部空間中流動的氣體，所述攪拌構(gòu)件具有形成于所述攪拌構(gòu)件的圓柱形形狀的外表面上的突起，所述內(nèi)部空間在軸向方向上延伸；以及

蓋構(gòu)件，在所述軸向方向上布置在所述第一冷卻單元及所述第二冷卻單元的至少其中之一的上游端部處以阻擋所述攪拌構(gòu)件，

突出部以相對于所述軸向方向傾斜的板狀形成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的介質(zhì)冷卻設(shè)備，其中：

所述第一冷卻單元的所述外表面與所述介質(zhì)的相對于圖像記錄表面的相對表面接觸，以及

所述第二冷卻單元與所述介質(zhì)的所述圖像記錄表面接觸。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的介質(zhì)冷卻設(shè)備，其中：

所述第二冷卻單元具有作為所述外表面的脫模層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1到3中任一權(quán)利要求所述的介質(zhì)冷卻設(shè)備，另外包括：

調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)，調(diào)節(jié)所述第一冷卻單元及所述第二冷卻單元的所述吸熱量。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的介質(zhì)冷卻設(shè)備，其中：

所述調(diào)節(jié)機(jī)構(gòu)通過調(diào)節(jié)所述介質(zhì)與所述第一冷卻單元和所述第二冷卻單元中的至少一個的接觸量來調(diào)節(jié)所述吸熱量。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的介質(zhì)冷卻設(shè)備，另外包括：

第一傳遞構(gòu)件，傳遞氣體以冷卻所述第一冷卻單元；

第二傳遞構(gòu)件，傳遞氣體以冷卻所述第二冷卻單元；以及

控制器，通過調(diào)節(jié)來自所述第一傳遞構(gòu)件及所述第二傳遞構(gòu)件的氣體的體積來調(diào)節(jié)所述吸熱量。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的介質(zhì)冷卻設(shè)備，其中：

所述第一傳遞構(gòu)件及所述第二傳遞構(gòu)件朝向所述第一冷卻單元及所述第二冷卻單元的內(nèi)表面?zhèn)鬟f氣體。

8.根據(jù)權(quán)利要求1到3及5到7中任一權(quán)利要求所述的介質(zhì)冷卻設(shè)備，另外包括：

冷卻器，朝向所述第一冷卻單元及所述第二冷卻單元的所述外表面吹動氣體。

9.根據(jù)權(quán)利要求1到3及5到7中任一權(quán)利要求所述的介質(zhì)冷卻設(shè)備，其中：

所述第一冷卻單元具有圓柱形形狀，以及

所述第二冷卻單元具有圓柱形形狀，其直徑小于所述第一冷卻單元的圓柱形形狀的直徑。

10.根據(jù)權(quán)利要求1到3及5到7中任一權(quán)利要求所述的介質(zhì)冷卻設(shè)備，其中：

所述第二冷卻單元由熱導(dǎo)率低于所述第一冷卻單元的熱導(dǎo)率的材料制成。

11.一種圖像形成設(shè)備，包括：

圖像載體；

轉(zhuǎn)印單元，將所述圖像載體的表面上的圖像轉(zhuǎn)印到介質(zhì)；

定影單元，通過加熱將經(jīng)轉(zhuǎn)印圖像定影到所述介質(zhì)；以及

根據(jù)權(quán)利要求1到10中任一權(quán)利要求所述的介質(zhì)冷卻設(shè)備，在所述介質(zhì)傳送方向上布置在所述定影單元的下游側(cè)且冷卻具有定影在所述介質(zhì)上的所述圖像的所述介質(zhì)。