[發明專利]發光二極管及其制備方法

有效

• 申請號: 201810861608.1
• 申請日: 2018-08-01
• 公開（公告）號: CN108922978B
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發明（設計）人: 徐瑞鵬;王立夫;王艷萍;周鵬
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 趙天月

1.一種發光二極管，其特征在于，包括依次層疊設置的陽極、空穴傳輸層、鈣鈦礦發光層、電子傳輸層和陰極，其中，所述鈣鈦礦發光層包括層疊設置的第一亞層和第二亞層，形成所述第一亞層的材料包括選自溴化鉛、氯化鉛和碘化鉛中的至少之一，形成所述第二亞層的材料包括選自甲基溴化氨、甲基氯化銨、甲基碘化銨、乙基溴化銨、乙基氯化銨、乙基碘化胺、甲脒鹽酸鹽、甲脒氫溴酸鹽和甲脒氫碘酸鹽中的至少之一；

而且，所述第一亞層是通過溶液法形成的，所述第二亞層是通過真空蒸鍍法形成的。

2.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，形成所述第一亞層的材料還包括鈍化材料，且所述鈍化材料包括選自聚氧化乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物和醋酸纖維素中的至少之一。

3.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，所述第一亞層和所述第二亞層的厚度各自獨立為5～100nm。

4.根據權利要求1所述發光二極管，其特征在于，進一步包括激子阻擋層和空穴注入層，且所述激子阻擋層設置在所述鈣鈦礦發光層與電子傳輸層之間，所述空穴注入層設置在所述空穴傳輸層與所述陽極之間；其中，所述陽極由氧化銦錫形成，所述空穴注入層由HAT-CN形成，所述空穴傳輸層由TCTA形成，所述第一亞層由摻雜PEO的溴化鉛形成，所述第二亞層由甲基溴化氨形成，所述激子阻擋層由BCP形成，所述電子傳輸層由TPBi形成，且所述陰極由鎂銀合金形成。

5.一種制作發光二極管的方法，其特征在于，包括以下步驟：

在陽極的一側形成空穴傳輸層；

在所述空穴傳輸層遠離所述陽極的一側形成鈣鈦礦發光層；

在所述鈣鈦礦發光層遠離所述陽極的一側形成電子傳輸層；

在所述電子傳輸層遠離所述陽極的一側形成陰極；

其中，形成所述鈣鈦礦發光層的步驟包括：

在所述空穴傳輸層遠離所述陽極的一側，通過溶液法形成第一亞層，且形成所述第一亞層的原料包括選自溴化鉛、氯化鉛和碘化鉛中的至少之一；

在所述第一亞層遠離所述陽極的一側，通過真空蒸鍍法形成第二亞層，且形成所述第二亞層的原料包括選自甲基溴化氨、甲基氯化銨、甲基碘化銨、乙基溴化銨、乙基氯化銨、乙基碘化胺、甲脒鹽酸鹽、甲脒氫溴酸鹽和甲脒氫碘酸鹽中的至少之一。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述溶液法的原料還包括鈍化材料和溶劑，且所述溶劑包括選自二甲基亞砜和二甲基甲酰胺中的至少一種。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，形成所述第一亞層的無機材料和所述鈍化材料的重量比為19：1～4：1。

8.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，在形成所述第一亞層的步驟之后，形成所述鈣鈦礦發光層的步驟進一步包括：

對所述第一亞層進行退火處理，且所述退火處理的溫度為70～200攝氏度。

9.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，在所述形成空穴傳輸層的步驟之前，所述方法進一步包括：

在所述陽極的表面形成空穴注入層。

10.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，在所述形成電子傳輸層的步驟之前，所述方法進一步包括：

在所述鈣鈦礦發光層的表面形成激子阻擋層。