[發(fā)明專利]一種連續(xù)化去除核級電解鋯中鹵化物雜質(zhì)裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810852039.4 | 申請日: | 2018-07-30 |
| 公開(公告)號: | CN109055740A | 公開(公告)日: | 2018-12-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 賈文成;胡國靜 | 申請(專利權(quán))人: | 東營騏豐鈦業(yè)科技有限公司;北京寶泰豐金屬研究所 |
| 主分類號: | C22B3/22 | 分類號: | C22B3/22;C22B3/02;C22B34/14;C25C3/26;C25C7/06 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100160 北京市豐臺區(qū)南四*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電解鋯 電解質(zhì) 核級 熔化 鹵化物雜質(zhì) 低溫區(qū) 連續(xù)化 去除 氯化鈉 殘留 氯化鉀 高純氬氣 高溫真空 冷卻降溫 石英濾芯 真空條件 蒸餾處理 受熱 氟化鉀 氟化鈉 加熱核 鹵化物 氣化的 水冷套 蒸餾倉 滴落 高純 水冷 坩堝 蒸汽 過濾 蒸發(fā) 擴(kuò)散 | ||
1.一種連續(xù)化去除核級電解鋯中鹵化物雜質(zhì)裝置,其特征在于,所述裝置包括:加熱爐(1)、蒸餾倉(2)、蒸餾坩堝(3)、待凈化的核級電解鋯(4)、陶瓷濾芯(5)、蒸餾倉收集漏斗(6)、蒸餾倉插板閥(7)、冷卻結(jié)晶倉插板閥(8)、冷卻結(jié)晶倉漏斗(9)、冷凝坩堝(10)、冷凝鹵化物(11)、結(jié)晶鹵化物(12)、冷卻結(jié)晶倉(13)、水冷倉(14)、進(jìn)水口(15)、出水口(16);
在高溫區(qū)與低溫區(qū)過渡階段設(shè)置兩個真空插板閥,可形成兩個獨(dú)立的密閉倉體,上部為蒸餾倉、下部為冷卻結(jié)晶倉。當(dāng)完成高溫真空蒸餾后,填充高純氬氣,關(guān)閉兩個插板閥,將密閉的高溫蒸餾倉體轉(zhuǎn)移至水冷倉進(jìn)行冷卻。將裝有待處理電解鋯的蒸餾倉直接轉(zhuǎn)移至高溫爐內(nèi)進(jìn)行高溫真空蒸餾。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種連續(xù)化去除核級電解鋯中鹵化物雜質(zhì)裝置,其特征在于,所述裝置避免蒸餾倉在爐內(nèi)冷卻,顯現(xiàn)連續(xù)化作業(yè),提高效率、節(jié)約能量的目的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種連續(xù)化去除核級電解鋯中鹵化物雜質(zhì)裝置,其特征在于,所述裝置采用雙插板閥結(jié)構(gòu),形成兩個獨(dú)立的密閉倉體,可實(shí)現(xiàn)連續(xù)化作業(yè),降低能量損耗、提高生產(chǎn)效率。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種連續(xù)化去除核級電解鋯中鹵化物雜質(zhì)裝置,其特征在于,所述蒸餾倉外表面涂覆高溫抗氧化涂層,可使蒸餾倉在800℃以上高溫條件下長期工作,防止蒸餾倉在高溫下氧化,尤其是防止蒸餾倉焊接縫隙的氧化,避免形成氧化空隙降低氣密性。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種連續(xù)化去除核級電解鋯中鹵化物雜質(zhì)裝置,其特征在于,所述裝置在800℃以上高溫下工作,有利于鹵化物雜質(zhì)快速蒸發(fā)脫除。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種連續(xù)化去除核級電解鋯中鹵化物雜質(zhì)裝置,其特征在于,所述裝置將陶瓷濾芯應(yīng)用于過濾核級鋯。陶瓷濾芯材質(zhì)為氧化鋯陶瓷、碳化硅陶瓷、氮化硼陶瓷或氮化鈦陶瓷,上述陶瓷與核級鋯、熔鹽不發(fā)生明顯反應(yīng),可有效過濾掉核級鋯中的熔鹽,防止核級鋯粉滴落坩堝,造成金屬損失。
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