[發明專利]一種鉺鈥鐠三摻雜氟化鉛中紅外激光晶體及其制備方法

有效

• 申請號: 201810832140.3
• 申請日: 2018-07-26
• 公開（公告）號: CN109023524B
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發明（設計）人: 張沛雄;黃杏彬;陳振強;朱思祁;尹浩;李真
• 申請（專利權）人: 暨南大學
• 主分類號: C30B29/12
• 分類號: C30B29/12;C30B11/00;H01S3/16
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 陳燕嫻

1.一種鉺鈥鐠三摻雜氟化鉛中紅外激光晶體，其特征在于，所述的激光晶體的化學式為Er_xHo_yPr_z:Pb_1-x-y-zF₂，其中x＝0.1～30mol.％，為Er離子占基質中Pb離子的摩爾百分數，y＝0.1～10mol.％，為Ho離子占基質中Pb離子的摩爾百分數，z＝0.1～5mol.％，為Pr離子占基質中Pb離子的摩爾百分數；Er³⁺和Ho³⁺同時作為激活離子，Pr³⁺作為退激活離子。

2.根據權利要求1所述的一種鉺鈥鐠三摻雜氟化鉛中紅外激光晶體，其特征在于，所述的激光晶體用于實現2.5～3.1微米波段全固態調諧激光輸出。

3.一種如權利要求1所述的鉺鈥鐠三摻雜氟化鉛中紅外激光晶體的制備方法，其特征在于，所述的制備方法包括下列步驟：

S1、選用純度大于99.999％的原料ErF₃、HoF₃、PrF₃和PbF₂，選定x，y，z值，根據激光晶體的化學式Er_xHo_yPr_z:Pb_1-x-y-zF₂稱量各原料，將原料充分混合；

S2、將充分混合的原料直接放入坩堝內，將坩堝置于下降爐中，生長氣氛為N₂氣體或真空，所述的坩堝在溫度為900～1100℃的高溫區熔料2～12小時，高溫區溫度梯度為20～50℃/cm，然后坩堝以0.5～3mm/h速率下降進入生長區進行晶體生長，此時晶體固液界面處±0.5cm范圍內的溫度梯度為20～80℃/cm；

S3、生長結束后，以20～60℃/h速率冷卻至室溫，取出晶體。