[發(fā)明專利]掩膜板及其制作方法、陣列基板及其制作方法、顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810819376.3 | 申請日: | 2018-07-24 |
| 公開(公告)號: | CN108761999A | 公開(公告)日: | 2018-11-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 郭永林;劉庭良;張鍇;張毅 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/76 | 分類號: | G03F1/76;G03F1/58 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;劉偉 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 掩膜板 透過率 制作 顯示裝置 陣列基板 透光 透光基 技術(shù)制作 顯示器件 依次排列 坡度角 中膜層 膜層 | ||
1.一種掩膜板,其特征在于,包括透光基底和設(shè)置在所述透光基底上的至少三種不同透過率的部分透光圖形,所述至少三種不同透過率的部分透光圖形按照透過率大小依次排列。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述至少三種不同透過率的部分透光圖形包括第一部分透光圖形、第二部分透光圖形和第三部分透光圖形,所述第一部分透光圖形的透過率大于所述第二部分透光圖形的透過率,所述第二部分透光圖形的透過率大于所述第三部分透光圖形的透過率;
所述第一部分透光圖形、所述第二部分透光圖形和所述第三部分透光圖形中的至少一個在所述透光基底上限定出開口區(qū),且所述第一部分透光圖形、所述第二部分透光圖形和所述第三部分透光圖形沿靠近所述開口區(qū)至遠離所述開口區(qū)的方向依次排列。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩膜板,其特征在于,所述第一部分透光圖形、所述第二部分透光圖形和所述第三部分透光圖形的材料相同,且所述第一部分透光圖形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度小于所述第二部分透光圖形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度,所述第二部分透光圖形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度小于所述第三部分透光圖形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的掩膜板,其特征在于,所述第一部分透光圖形、所述第二部分透光圖形和所述第三部分透光圖形的制備材料均包括氧化鉻。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的掩膜板,其特征在于,所述第三部分透光圖形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度為所述第一部分透光圖形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度與所述第二部分透光圖形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度的和。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的掩膜板,其特征在于,所述第一部分透光圖形的透過率在40%~60%之間,所述第二部分透光圖形的透過率在3%~7%之間,所述第三部分透光圖形的透過率為所述第一部分透光圖形的透過率與所述第二部分透光圖形的透過率的乘積。
7.一種掩膜板的制作方法,其特征在于,用于制作如權(quán)利要求1~6任一項所述的掩膜板,所述制作方法包括:
在透光基底上形成至少三種不同透過率的部分透光圖形,所述至少三種不同透過率的部分透光圖形按照透過率大小依次排列。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的掩膜板的制作方法,其特征在于,當(dāng)所述至少三種不同透過率的部分透光圖形包括第一部分透光圖形、第二部分透光圖形和第三部分透光圖形時,所述在透光基底上形成至少三種不同透過率的部分透光圖形的步驟具體包括:
在所述透光基底上沉積部分透光材料;
對所述部分透光材料進行圖案化處理,獲得所述第一部分透光圖形、所述第二部分透光圖形和所述第三部分透光圖形,所述第一部分透光圖形、所述第二部分透光圖形和所述第三部分透光圖形按照厚度大小依次排列。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的掩膜板的制作方法,其特征在于,當(dāng)所述至少三種不同透過率的部分透光圖形包括第一部分透光圖形、第二部分透光圖形和第三部分透光圖形時,所述在透光基底上形成至少三種不同透過率的部分透光圖形的步驟具體包括:
在所述透光基底上沉積第一部分透光材料;
對所述第一部分透光材料進行構(gòu)圖,形成第二子圖形;
沉積第二部分透光材料,所述第二部分透光材料覆蓋所述第二子圖形和所述透光基底中未被所述第二子圖形覆蓋的部分;
對所述第二部分透光材料進行構(gòu)圖,形成第一子圖形和第三子圖形,其中所述第一子圖形位于所述透光基底的表面,且與所述第二子圖形鄰接,所述第三子圖形位于所述第二子圖形背向所述透光基底的一面,且所述第三子圖形在所述透光基底上的正投影與所述第一子圖形在所述透光基底上的正投影之間具有預(yù)設(shè)距離;
所述第一部分透光圖形包括第一子圖形,所述第二部分透光圖形包括所述第二子圖形中未被所述第三子圖形覆蓋的部分;所述第三部分透光圖形包括所述第三子圖形和所述第二子圖形中被所述第三子圖形覆蓋的部分。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備





