[發(fā)明專利]過渡態(tài)氧化鎳鉻膜層的制備方法及包含該過渡態(tài)氧化鎳鉻膜層的可鋼化低輻射鍍膜玻璃有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810794815.X | 申請日: | 2018-07-19 |
| 公開(公告)號: | CN109136870B | 公開(公告)日: | 2020-12-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 唐晶;梁干;武瑞軍 | 申請(專利權(quán))人: | 吳江南玻華東工程玻璃有限公司;中國南玻集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35;C23C14/08;C03C17/36 |
| 代理公司: | 蘇州創(chuàng)元專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 32103 | 代理人: | 孫仿衛(wèi);都春燕 |
| 地址: | 215222 江蘇省蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 過渡 氧化 鎳鉻膜層 制備 方法 包含 可鋼化低 輻射 鍍膜 玻璃 | ||
1.一種過渡態(tài)氧化鎳鉻膜層的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:采用NiCr合金靶材,在直流電源的控制下,保持磁控濺射鍍膜設(shè)備的背景本底真空度優(yōu)于5×10-4Pa,在工藝氣氛點采用反應(yīng)式濺射的方式在上一膜層的表面順次進(jìn)行沉積,所述的工藝氣氛點對應(yīng)為氬氧氛圍,且通入的氬氣和氧氣的流量比為8/1-12/1,即得過渡態(tài)氧化鎳鉻膜層;
所述工藝氣氛點所對應(yīng)的氬氣和氧氣的流量比例采用以下方法獲得:保持磁控濺射鍍膜設(shè)備的背景本底真空度優(yōu)于5×10-4Pa,保持磁控濺射鍍膜設(shè)備的濺射功率不變,保持氬氣的流量不變,從零開始逐步增加O2的流量,記錄不同O2流量下的電壓值,繪制電壓-O2流量曲線,找出所述電壓-O2流量曲線上最大電壓值所對應(yīng)的氬氣和氧氣的流量比例,即為所述工藝氣氛點所對應(yīng)的氬氣和氧氣的流量比例。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種過渡態(tài)氧化鎳鉻膜層的制備方法,其特征在于:所述過渡態(tài)氧化鎳鉻膜層的厚度為1.5-5nm。
3.一種包含由權(quán)利要求1至2任一項所述的方法制備的過渡態(tài)氧化鎳鉻膜層的可鋼化低輻射鍍膜玻璃,包括玻璃基體以及鍍設(shè)于所述玻璃基體一側(cè)表面的復(fù)合膜層,其特征在于:所述復(fù)合膜層包括自所述玻璃基體朝外依次沉積的打底層、第一種子層、第一銀層、第一過渡態(tài)氧化鎳鉻膜層、第一中間層、第二種子層、第二銀層、第二過渡態(tài)氧化鎳鉻膜層和頂部保護(hù)層;
所述第一種子層/第二種子層的膜層材料為氧化鋅,其厚度為8-15nm;
所述第一銀層/第二銀層的厚度為8-20nm;所述第一過渡態(tài)氧化鎳鉻膜層/第二過渡態(tài)氧化鎳鉻膜層的厚度為1.5-5nm;
所述第一中間層至少包含一層氧化物介質(zhì)層,所述第一中間層的厚度為50-80nm;
所述頂部保護(hù)層至少包含一層氮化硅層,其厚度為20-50nm;
所述打底層的膜層材料為氮化硅,其厚度為15-30nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種可鋼化低輻射鍍膜玻璃,其特征在于:所述第二過渡態(tài)氧化鎳鉻層和所述頂部保護(hù)層之間自內(nèi)向外還依次鍍設(shè)有第二中間層、第三種子層、第三銀層和第三過渡態(tài)氧化鎳鉻膜層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種可鋼化低輻射鍍膜玻璃,其特征在于:所述第一種子層/第二種子層/第三種子層的膜層材料為氧化鋅,其厚度為8-15nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種可鋼化低輻射鍍膜玻璃,其特征在于:所述第一銀層/第二銀層/第三銀層的厚度為8-20nm;所述第一過渡態(tài)氧化鎳鉻膜層/第二過渡態(tài)氧化鎳鉻膜層/第三過渡態(tài)氧化鎳鉻膜層的厚度為1.5-5nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種可鋼化低輻射鍍膜玻璃,其特征在于:所述第一中間層/第二中間層至少包含一層氧化物介質(zhì)層,所述第一中間層的厚度為50-80nm;所述第二中間層的厚度為40-60nm。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





