[發明專利]一種針對酸性氣體、粉塵顆粒的廢氣的后端凈化裝置

在審

• 申請號: 201810792667.8
• 申請日: 2018-07-18
• 公開（公告）號: CN108619879A
• 公開（公告）日: 2018-10-09
• 發明（設計）人: 楊春水;曹小康;趙力行;鄒昭平;蔣俊海;于浩
• 申請（專利權）人: 安徽京儀自動化裝備技術有限公司
• 主分類號: B01D53/75
• 分類號: B01D53/75;B01D53/86;B01D53/44;B01D50/00;B01D47/06
• 代理公司: 蕪湖思誠知識產權代理有限公司 34138
• 代理人: 鄭直

本發明公開了一種針對酸性氣體、粉塵顆粒的廢氣的后端凈化裝置，涉及半導體制造過程中制成工藝氣體處理設備的技術領域，包括反應腔、后端水洗室、冷卻塔和廢水凈水箱，廢氣進入前端凈化裝置后，在去除了廢氣中的酸性氣體和粉塵顆粒后，剩下的廢氣進入反應室中反應，將廢氣中的有機物反應掉，接著，反應后的高溫氣體再經過后端水洗室和冷卻塔的水洗噴淋和冷卻降溫，在達到排放標準后從出氣口排出，而反應后產生的粉塵顆粒遇到水后掉落到后端水洗室的底部并順著水流沖洗到廢水凈水箱中，再通過廢水凈水箱的過濾凈化循環利用，整個裝置結構合理，實用性強。

技術領域

本發明涉及半導體制造過程中制成工藝氣體處理設備的技術領域，具體涉及一種針對酸性氣體、粉塵顆粒的廢氣的后端凈化裝置。

背景技術

在半導體制造過程中既有二氧化硫、氮氧化物、含氟氣體等有害廢氣外排，也有大量的粉塵伴隨廢氣排放到環境中，造成環境空氣污染。應用在半導體行業的傳統廢氣處理設備在長時間運行中會因為廢氣中含有的粉塵導致廢氣處理設備反應腔堵塞，縮短設備的維護周期，影響工廠的產能，同時，在長時間運行中會因為廢氣中的酸性氣體加速腐蝕設備的金屬管路及連接廠務排風的金屬管路，造成氣體泄漏，導致安全事件發生。

中國專利公開號為CN107051092A公開了一種廢氣處理設備，包括：噴淋凈化裝置，包括塔體和噴淋機構，塔體具有容納腔，塔體內沿底部到頂部依次設有旋流結構層和填料層以將容納腔分隔為第一腔室、第二腔室和第三腔室，塔體的底部設有與第一腔室連通的進氣口和出水口，塔體的頂部設有與第三腔室連通的出氣口；噴淋機構包括第一噴淋組件和第二噴淋組件；氣體凈化裝置，包括具有凈化腔的本體，本體上設有與凈化腔連通的進風口和出風口，進風口與出氣口連通，凈化腔包括等離子反應腔，等離子反應腔內設有等離子電場發生器。

日本專利公開號為CN107206314A公開了一種可以高效除去廢氣中的NOx的廢氣處理方法和廢氣處理裝置。本發明的廢氣處理方法，其特征在于，其包括向含NOx的廢氣中供給含堿劑的粉末和臭氧對廢氣進行處理的工序，通過臭氧使NO氧化為NO2，并使堿劑或其熱分解產物與NO2進行氣固反應。此外，本發明的廢氣處理裝置，其特征在于，其具備含NOx的廢氣流過的廢氣流路，向流過廢氣流路的廢氣中供給臭氧的臭氧供給部，以及向流過廢氣流路的廢氣中供給含堿劑的粉末的堿劑供給部，臭氧供給部設置為通過供給的臭氧使廢氣中的NO氧化為NO2，堿劑供給部設置為使供給的粉末中含有的堿劑或其熱分解產物與NO2進行氣固反應。

上述對比文件中所涉及的技術方案結構上過于復雜，維護成本較高，裝置占用的空間也較大，不便應用于半導體制造過程中對制成工藝氣體處理，因此，對應用于半導體制造過程中制成工藝氣體處理設備需要重新進行更加合理的設計。

發明內容

本發明的目的在于提供一種針對酸性氣體、粉塵顆粒的廢氣的后端凈化裝置，以解決現有技術中導致的上述多項缺陷。

一種針對酸性氣體、粉塵顆粒的廢氣的后端凈化裝置，包括反應腔、后端水洗室、冷卻塔和廢水凈水箱，所述反應室包括反應腔、主進氣法蘭、輔進氣法蘭和輔進料法蘭、出氣法蘭，所述主進氣法蘭和輔進氣法蘭分別焊接在反應腔的頂部中間和頂部兩邊，所述輔進料法蘭焊接在反應腔的中部，所述出氣法蘭焊接在反應腔的底部并通過連接管道一和后端水洗室相連；所述后端水洗室包括后端水洗腔和噴頭法蘭一，所述噴頭法蘭一對稱設于后端水洗腔的兩側并內設有噴頭一，所述后端水洗腔的頂部左側設有進氣端并和連接管道二相連，頂部右邊設有出氣端并和冷卻塔相連，所述后端水洗腔的底部設有排水法蘭并通過連接管道二和廢水凈水箱連接；所述冷卻塔的內部均布設有冷卻板，所述冷卻塔的外部中間和上部分別焊接有噴水法蘭二和噴水法蘭三，所述噴水法蘭二和噴水法蘭三內設有噴頭二和噴頭三，所述冷卻塔的頂部水平設有出氣口。

優選的，所述廢水凈水箱包括箱體和進水法蘭，所述進水法蘭焊接在箱體的頂部左邊，所述進水法蘭通過連接管道二和排水法蘭相連，所述箱體的內部中間設有過濾板并通過固定架二豎直固定在箱體的內部，所述箱體的右側下部設有出水法蘭。