[發明專利]一種顯示基板及制備方法、顯示面板在審
| 申請號: | 201810786405.0 | 申請日: | 2018-07-17 |
| 公開(公告)號: | CN108922905A | 公開(公告)日: | 2018-11-30 |
| 發明(設計)人: | 孫文;張震;鄧偉;李中天;張祎楊 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56;G06K9/00 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 張雨竹 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 遮光層 顯示基板 背板 指紋識別區域 顯示面板 成像孔 制備 絕緣層 所在區域 電極 電連接 透光區 產能 | ||
本發明的實施例提供一種顯示基板及制備方法、顯示面板,涉及顯示技術領域,可以提升產能,并降低成本。一種顯示基板,包括:TFT背板、設置于所述TFT背板上的遮光層、以及設置于所述遮光層遠離所述TFT背板一側且與所述TFT背板上的TFT電連接的電極;所述遮光層為絕緣層;所述遮光層至少設置于指紋識別區域,且所述遮光層在所述指紋識別區域具有若干成像孔;所述顯示基板對應所述成像孔的所在區域的至少部分區域為透光區。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示基板及制備方法、顯示面板。
背景技術
隨著顯示技術的發展,指紋識別功能正逐漸成為顯示產品的標配。在此基礎上,為實現顯示產品的全屏化(即窄邊框或無邊框),各家廠商正在努力實現屏內指紋識別。
發明內容
本發明的實施例提供一種顯示基板及制備方法、顯示面板,可以提升產能,并降低成本。
為達到上述目的,本發明的實施例采用如下技術方案:
一方面,提供一種顯示基板,包括:TFT背板、設置于所述TFT背板上的遮光層、以及設置于所述遮光層遠離所述TFT背板一側且與所述TFT背板上的TFT電連接的電極;所述遮光層為絕緣層;所述遮光層至少設置于指紋識別區域,且所述遮光層在所述指紋識別區域具有若干成像孔;所述顯示基板對應所述成像孔的所在區域的至少部分區域為透光區。
在一些實施例中,若干成像孔呈陣列均勻排布。
在一些實施例中,所述遮光層的材料包括黑色PI;所述遮光層與所述TFT背板上的TFT直接接觸。
在一些實施例中,所述遮光層的材料包括黑色樹脂;所述遮光層和所述TFT背板上的TFT之間設置有第一平坦層。
在一些實施例中,所述顯示基板還包括設置于所述遮光層與所述電極之間的第二平坦層;在所述顯示基板包括第一平坦層和所述第二平坦層的情況下,所述第一平坦層和所述第二平坦層在所述TFT背板的襯底上的正投影完全重疊。
在一些實施例中,所述指紋識別區域與所述顯示區完全重合。
在一些實施例中,所述顯示基板還包括設置于所述TFT背板的襯底一側、且位于所述指紋識別區域的至少一個指紋采集部件。
在一些實施例中,所述電極為陽極;所述顯示基板還包括依次設置于所述陽極遠離所述TFT背板一側的有機材料功能層和陰極;所述陽極不透光,所述陰極透光。
在一些實施例中,所述TFT背板的襯底為柔性襯底。
另一方面,提供一種顯示基板的制備方法,包括:形成TFT背板以及與所述TFT背板上的TFT電連接的電極;在形成所述TFT背板之后,形成所述電極之前,采用至多兩個不同的掩模板形成包括遮光層在內的至少一層絕緣膜層;所述遮光層至少位于指紋識別區域,且所述遮光層在所述指紋識別區域具有若干成像孔;其中,所述顯示基板對應所述成像孔的所在區域的至少部分區域為透光區。
在一些實施例中,采用至多兩個掩模板形成包括遮光層在內的至少一層絕緣膜層,包括:在所述TFT背板上,采用第一掩模板,通過曝光、顯影工藝形成與所述TFT背板的TFT直接接觸的所述遮光層;所述遮光層的材料包括黑色PI。
在一些實施例中,采用至多兩個掩模板形成包括遮光層在內的至少一層絕緣膜層,包括:在所述TFT背板上,采用第二掩模板,通過曝光、顯影工藝形成與所述TFT背板的TFT直接接觸的第一平坦層;在所述第一平坦層之上,采用第一掩模板,通過曝光、顯影工藝形成所述遮光層;所述遮光層的材料包括黑色樹脂。
在一些實施例中,在形成所述遮光層后,形成所述電極之前,還采用第三掩模板,通過曝光、顯影工藝形成第二平坦層;其中,在所述顯示基板包括第一平坦層和所述第二平坦層的情況下,所述第三掩模板和所述第二掩模板為同一個掩模板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





