[發明專利]通過催化脫氫偶聯以無鹵素方式合成氨基硅烷的方法

有效

• 申請號: 201810781647.0
• 申請日: 2014-09-25
• 公開（公告）號: CN108766872B
• 公開（公告）日: 2022-11-01
• 發明（設計）人: A·桑切斯;G·伊托夫;P·張;M·D·斯蒂芬斯;M·坎多爾沃
• 申請（專利權）人: 喬治洛德方法研究和開發液化空氣有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 林柏楠;劉金輝

1.一種沉積含硅的膜的方法，此方法包括：

將不含鹵素和不含氨基鹵化物的前體化合物的蒸氣引入反應器中，其中前體化合物具有式R¹R²NSi₂H₅或R¹R²NSi₃H₇，其中R¹和R²獨立地選自H、直鏈或支化的C₁-C₆烷基、直鏈或支化的C₁-C₈鏈烯基、直鏈或支化的C₁-C₈炔基、C₆-C₁₀芳基、直鏈或支化的C₁-C₆烷基醚、甲硅烷基、三甲基甲硅烷基、或者被直鏈或支化C₁-C₆烷基取代的甲硅烷基；

并且采用氣相沉積方法將至少一部分的所述前體化合物沉積到基材上以形成含硅的膜，

其中不含鹵素和不含氨基鹵化物的前體化合物是如下制備的：使反應物R¹R²NH與Si₂H₆或Si₃H₈在過渡金屬催化劑的存在下接觸以形成反應混合物，并從反應混合物分離不含鹵素和不含氨基鹵化物的前體化合物。

2.根據權利要求1所述的方法，其中不含鹵素和不含氨基鹵化物的前體化合物是R¹R²NSi₂H₅。

3.根據權利要求2所述的方法，其中不含鹵素和不含氨基鹵化物的前體化合物是(ⁱPr)₂NSi₂H₅。

4.根據權利要求1所述的方法，其中不含鹵素和不含氨基鹵化物的前體化合物是R¹R²NSi₃H₇。

5.根據權利要求4所述的方法，其中不含鹵素和不含氨基鹵化物的前體化合物是Bu₂NSi₃H₇。

6.根據權利要求5所述的方法，其中不含鹵素和不含氨基鹵化物的前體化合物是tBu₂NSi₃H₇。

7.根據權利要求1-6中任一項所述的方法，其中氣相沉積方法是選擇性氣相沉積方法。

8.根據權利要求7所述的方法，其中還包括將共反應劑引入反應器中。

9.根據權利要求8所述的方法，其中共反應劑是O₂。

10.根據權利要求9所述的方法，其中氣相沉積方法是熱方法。

11.根據權利要求1-6中任一項所述的方法，其中氣相沉積方法是原子層沉積方法。

12.根據權利要求11所述的方法，其中還包括將共反應劑引入反應器中。

13.根據權利要求12所述的方法，其中共反應劑是O₂。

14.根據權利要求13所述的方法，其中氣相沉積方法是熱方法。