[發明專利]陣列基板中雙層金屬層的制造方法以及陣列基板

有效

• 申請號: 201810769180.8
• 申請日: 2018-07-13
• 公開（公告）號: CN108962827B
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發明（設計）人: 宮奎;徐德智;王一軍;段獻學;張志海
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/84
• 分類號: H01L21/84;H01L27/12
• 代理公司: 北京律智知識產權代理有限公司 11438
• 代理人: 袁禮君;王衛忠

1.一種陣列基板中雙層金屬層的制造方法，包括：

在陣列基板上形成第一金屬層圖案；

在所述第一金屬層圖案上形成絕緣層，并在所述絕緣層上形成過孔；

在所述陣列基板上形成雙層金屬層，所述雙層金屬層包括下層金屬層和上層金屬層，所述下層金屬層通過所述過孔與所述第一金屬層圖案接觸；

在所述陣列基板上形成光刻膠，形成所需的下層金屬層和上層金屬層的圖案，并通過灰化工藝使得通過所述過孔暴露出的上層金屬層氧化變成氧化物；

通過使所述氧化物與光刻膠剝離液反應，去除所述氧化物以及所述光刻膠，以暴露出所述過孔中的下層金屬層；

其中，在所述陣列基板上形成光刻膠，形成所需的下層金屬層和上層金屬層的圖案，并通過灰化工藝使得通過所述過孔暴露出的上層金屬層氧化變成氧化物，包括：

形成光刻膠圖案，所述光刻膠圖案包括光刻膠完全保留區域、光刻膠半保留區域以及光刻膠完全去除區域，所述光刻膠半保留區域對應于所述過孔，所述光刻膠完全保留區域對應于需要完全保留所述下層金屬層和上層金屬層的區域，所述光刻膠完全去除區域對應于需要完全去除所述下層金屬層和上層金屬層的區域；

去除未被光刻膠覆蓋的區域的上層金屬層和下層金屬層，形成所需的下層金屬層和上層金屬層的圖案；

通過灰化工藝，去除所述光刻膠半保留區域的光刻膠，減薄所述光刻膠完全保留區域的光刻膠，在所述光刻膠半保留區域的光刻膠完全去除后，繼續進行灰化工藝，使得通過所述過孔暴露出的上層金屬層氧化變成氧化物。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，利用半色調掩模板，形成光刻膠圖案。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，通過灰化工藝，去除所述光刻膠半保留區域的光刻膠，減薄所述光刻膠完全保留區域的光刻膠，包括：

在進行灰化工藝的設備中通入氧氣作為工作氣體對光刻膠進行灰化，以去除所述光刻膠半保留區域的光刻膠，減薄所述光刻膠完全保留區域的光刻膠。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，在灰化工藝中，氧氣的流量為50～150sccm，對光刻膠進行灰化的時間為25～50秒，繼續進行灰化工藝使得通過所述過孔暴露出的上層金屬層氧化變成氧化物的時間為10到30秒。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其中，所述下層金屬層由具有擴散阻擋效果的金屬制成。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述下層金屬層由Mo、MoNb以及Ti中的至少之一形成；

所述上層金屬層由銅形成。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述下層金屬層的厚度不小于所述上層金屬層的厚度。

8.根據權利要求1至4中任一項所述的方法，其中，所述光刻膠剝離液包括甲胺、二甲胺、三甲胺、乙胺、二乙胺、三乙胺、異丙胺、仲丁胺、叔丁胺、乙二胺、己胺、己二胺、二亞乙基三胺、三亞乙基二胺、羥胺中的一種或幾種，所述光刻膠剝離液的溶劑為二甲基亞砜、N-甲基吡啶烷酮、一甲基甲酰胺、一甲基乙酰胺、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、乙二醇一甲醚、乙二醇一乙醚、乙二醇二甲醚、N-N-二甲基乙酰胺、環丁砜中的一種或幾種。

9.根據權利要求2所述的方法，其中，在進行灰化工藝形成所需的下層金屬層和上層金屬層的圖案的同時，還形成所述陣列基板上薄膜晶體管的源極和漏極。

10.一種陣列基板，其中，所述陣列基板由根據權利要求1至9中任一項所述的方法制造而成。