[發(fā)明專利]淺溝槽隔離臺階高度穩(wěn)定性測量方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810768913.6
• 申請日: 2018-07-13
• 公開（公告）號: CN109065465B
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發(fā)明（設計）人: 王艷云;許箭
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 焦天雷

1.一種淺溝槽隔離臺階高度穩(wěn)定性測量方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)將離子注入層光掩模板圖案轉(zhuǎn)移到?jīng)]有生長薄膜的晶圓上；

2)測量獲得基準圖形線寬，找到最佳曝光條件，并設定為基準曝光條件；

3)制作2n片含有基底圖形的晶圓，基底表現(xiàn)為淺溝槽隔離臺階高度差異，量取各淺溝槽臺階高度S1，S2，……S2n，n為自然數(shù)；

4)將離子注入層光掩模板圖案轉(zhuǎn)移到含有淺溝槽基底的晶圓上，同時測得各圖形線寬C1，C2，……C2n；

5)通過公式△CD2n/△SH2n計算出各臺階線寬變化量對應高度變化量的比值；△CD2n是第2n片晶圓的圖形線寬變化量，△SH2n是第2n片晶圓的臺階高度變化量；

6)線性擬合比值，獲得相關(guān)比值系數(shù)α；

7)在線監(jiān)控產(chǎn)品線寬，測量經(jīng)過離子注入光刻工藝層的晶圓，當測得的線寬變化大于第一閾值時，判斷是否為基準曝光條件偏移；

如果為基準曝光條件偏移導致的線寬變化，則重新校準基準曝光條件；

如果基準曝光條件未發(fā)生偏移，通過公式H＝α*CD計算出相應在線監(jiān)控產(chǎn)品臺階高度變化量H，CD是在線監(jiān)控產(chǎn)品圖形線寬變化量。

2.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離臺階高度穩(wěn)定性測量方法，其特征在于：基準曝光條件包括光刻機曝光所需的能量和焦距。

3.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離臺階高度穩(wěn)定性測量方法，其特征在于：圖形線寬是通過線寬測量掃描電鏡CDSEM量取的關(guān)鍵尺寸。

4.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離臺階高度穩(wěn)定性測量方法，其特征在于：線寬測量圖形設置在臺階上方。

5.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離臺階高度穩(wěn)定性測量方法，其特征在于：臺階高度測量值范圍是至

6.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離臺階高度穩(wěn)定性測量方法，其特征在于：判斷基準曝光條件是否偏移的方法為：測得實時機臺狀態(tài)，獲得圖形線寬，比較基準圖形線寬與獲得圖形線寬，若差異小于第二閾值，則判定為基準曝光條件未發(fā)生偏移；若差異大于等于第二閾值，則判定為基準曝光條件發(fā)生偏移。

7.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離臺階高度穩(wěn)定性測量方法，其特征在于：第一閾值為5納米。

8.如權(quán)利要求6所述的淺溝槽隔離臺階高度穩(wěn)定性測量方法，其特征在于：第二閾值為4納米。

9.如權(quán)利要求1所述的淺溝槽隔離臺階高度穩(wěn)定性測量方法，其特征在于：采用涂膠、曝光和顯影將離子注入層光掩模板圖案轉(zhuǎn)移。