[發明專利]攝像裝置

在審

• 申請號: 201810768586.4
• 申請日: 2018-07-13
• 公開（公告）號: CN109326618A
• 公開（公告）日: 2019-02-12
• 發明（設計）人: 平瀨順司;高見義則;山田翔太;佐藤好弘;佐藤嘉晃
• 申請（專利權）人: 松下知識產權經營株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 高迪

1.一種攝像裝置，具備：

半導體基板；以及

像素，位于所述半導體基板的表面，

所述半導體基板包含：

第一區域，包含第一導電型的雜質；以及

第二區域，包含與所述第一導電型不同的第二導電型的雜質，位于所述第一區域的所述表面側，

所述像素包含：

光電轉換部，將光轉換為電荷；

第一擴散區域，包含所述第一導電型的雜質，位于所述第二區域的所述表面側，積蓄所述電荷；以及

第二擴散區域，是在包含所述第一導電型的雜質且位于所述第二區域的所述表面側的多個擴散區域之中與所述第一擴散區域最近的擴散區域，

所述第二擴散區域與所述第一區域的距離為所述第二擴散區域與所述第一擴散區域的距離的1.5倍以下。

2.如權利要求1所述的攝像裝置，

所述像素包含第一晶體管，該第一晶體管包含所述第二擴散區域作為源極或漏極。

3.如權利要求1所述的攝像裝置，

所述第二擴散區域與所述第一區域的距離為所述第二擴散區域與所述第一擴散區域的距離以下。

4.如權利要求2所述的攝像裝置，

所述第一晶體管包含所述第一擴散區域作為源極或漏極。

5.如權利要求2所述的攝像裝置，

所述像素包含第二晶體管，該第二晶體管包含所述第一擴散區域作為源極或漏極，

所述第一晶體管與所述第二晶體管不同。

6.如權利要求1所述的攝像裝置，

所述第一區域包含：

第一部分，與所述第一擴散區域對置，且面對所述第二區域；以及

第二部分，與所述第一擴散區域不對置，且面對所述第二區域，

所述第一部分與所述表面的距離比所述第二部分與所述表面的距離小。

7.如權利要求1所述的攝像裝置，

所述第一區域與所述第二區域的界面中的與所述第一擴散區域對置的部分向所述表面成為凸形狀。

8.如權利要求1所述的攝像裝置，

穿過所述第一擴散區域的中心且相對于所述半導體基板的所述表面沿深度方向的電勢曲線具有：

第一范圍，電勢單調減小；

第二范圍，電勢單調增加；以及

第三范圍，位于所述第一范圍與所述第二范圍之間，與所述第一范圍及所述第二范圍相比斜率的絕對值更小，

所述第三范圍的寬度比所述第一范圍的寬度與所述第二范圍的寬度之和更小。

9.如權利要求1所述的攝像裝置，

所述光電轉換部位于所述半導體基板的所述表面的上方。

10.一種攝像裝置，具備：

半導體基板；以及

像素，位于所述半導體基板的表面，

所述半導體基板包含：

第一區域，包含第一導電型的雜質；以及

第二區域，包含與所述第一導電型不同的第二導電型的雜質，位于所述第一區域的所述表面側，

所述像素具備：

光電轉換部，將光轉換為電荷；以及

第一擴散區域，包含所述第一導電型的雜質，位于所述第二區域的所述表面側，積蓄所述電荷，

穿過所述第一擴散區域的中心且相對于所述半導體基板的所述表面沿深度方向的電勢曲線具有：

第一范圍，電勢單調減??；

第二范圍，電勢單調增加；以及

第三范圍，位于所述第一范圍與所述第二范圍之間，與所述第一范圍及所述第二范圍相比斜率的絕對值更小，

所述第三范圍的寬度比所述第一范圍的寬度與所述第二范圍的寬度之和更小。

11.如權利要求10所述的攝像裝置，

所述第一區域與所述第二區域的界面中的與所述第一擴散區域對置的部分向所述表面成為凸形狀。

12.如權利要求10所述的攝像裝置，

所述光電轉換部位于所述半導體基板的所述表面的上方。