[發(fā)明專利]發(fā)光元件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810768343.0
• 申請日: 2018-07-13
• 公開（公告）號: CN109256446B
• 公開（公告）日: 2022-02-08
• 發(fā)明（設計）人: 陳昭興;蕭長泰;王佳琨;許啟祥;陳之皓;林永翔;郭歐瑞
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/24
• 分類號: H01L33/24;H01L33/38
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發(fā)明公開一種發(fā)光元件，其包含一第一半導體層；多個半導體柱彼此分離且位于第一半導體層上，多個半導體柱各包含一第二半導體層及一活性層；一第一電極覆蓋多個半導體柱的一部分；以及一第二電極覆蓋多個半導體柱的另一部分，其中位于第一電極的一覆蓋區(qū)域下方的多個半導體柱包含一第一間距以彼此分離，位于第一電極的覆蓋區(qū)域以外的多個半導體柱包含一第二間距以彼此分離，及第一間距大于第二間距。

技術領域

本發(fā)明涉及一種發(fā)光元件，且特別是涉及一種可發(fā)出一紫外光的發(fā)光元件，其包含一第一半導體層及多個半導體柱位于第一半導體層上。

背景技術

發(fā)光二極管(Light-Emitting Diode,LED)為固態(tài)半導體發(fā)光元件，其優(yōu)點為功耗低，產生的熱能低，工作壽命長，防震，體積小，反應速度快和具有良好的光電特性，例如穩(wěn)定的發(fā)光波長。因此發(fā)光二極管被廣泛應用于家用電器，設備指示燈，及光電產品等。

發(fā)明內容

一種發(fā)光元件包含一第一半導體層；多個半導體柱彼此分離且位于第一半導體層上，多個半導體柱各包含一第二半導體層及一活性層；一第一電極覆蓋多個半導體柱的一部分；以及一第二電極覆蓋多個半導體柱的另一部分，其中位于第一電極的一覆蓋區(qū)域下方的多個半導體柱包含一第一間距以彼此分離，位于第一電極的覆蓋區(qū)域以外的多個半導體柱包含一第二間距以彼此分離，及第一間距大于第二間距。

一種發(fā)光元件包含一第一半導體層；多個半導體柱彼此分離且位于第一半導體層上，多個半導體柱各包含一第二半導體層及一活性層；一第一電極覆蓋多個半導體柱的一部分；一第二電極覆蓋多個半導體柱的另一部分；以及一半導體平臺包含第一半導體層、活性層及/或第二半導體層位于第一電極下方，其中位于第一電極的一覆蓋區(qū)域以外的多個半導體柱包含一間距以彼此分離，及半導體平臺包含一寬度大于多個半導體柱間的間距。

一種發(fā)光元件包含一第一半導體層；多個半導體柱彼此分離且位于第一半導體層上，多個半導體柱各包含一第二半導體層及一活性層；一第一接觸層包含一第一接觸部及一第一延伸部，第一接觸部包含一面積大于多個半導體柱之一的一面積，第一延伸部延伸自第一接觸部并環(huán)繞多個半導體柱；一第一電極覆蓋多個半導體柱的一部分；以及一第二電極覆蓋多個半導體柱的另一部分，其中第一接觸部位于第一電極或第二電極下方，第一延伸部位于第一電極或第二電極下方。

一種發(fā)光元件包含一第一半導體層包含一第一上表面；一活性層包含一表面位于第一半導體層上并露出第一半導體層的第一上表面；以及一第二半導體層位于活性層上并露出活性層的表面，其中發(fā)光元件可發(fā)出一UV光。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一實施例中所揭示的一發(fā)光元件1的上視圖；

圖2為本發(fā)明一實施例中所揭示的發(fā)光元件1的剖視圖；

圖3A為本發(fā)明一實施例中所揭示的一發(fā)光元件2A的部分剖視圖；

圖3B為本發(fā)明一實施例中所揭示的發(fā)光元件2A的部分上視圖；

圖4A為本發(fā)明一實施例中所揭示的一發(fā)光元件2B的部分剖視圖；

圖4B為本發(fā)明一實施例中所揭示的發(fā)光元件2B的部分上視圖；

圖5為本發(fā)明一實施例的發(fā)光裝置3的示意圖；

圖6為本發(fā)明一實施例的發(fā)光裝置4的示意圖。

符號說明

1，2A，2B 發(fā)光元件

3，4 發(fā)光裝置

11 基板

111，221，321 第一半導體層

122，222，322 第二半導體層

123，223，323 活性層