[發明專利]發光元件

有效

• 申請號: 201810768343.0
• 申請日: 2018-07-13
• 公開（公告）號: CN109256446B
• 公開（公告）日: 2022-02-08
• 發明（設計）人: 陳昭興;蕭長泰;王佳琨;許啟祥;陳之皓;林永翔;郭歐瑞
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/24
• 分類號: H01L33/24;H01L33/38
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種發光元件，其特征在于，包含：

第一半導體層；

多個半導體柱，位于該第一半導體層上，該多個半導體柱分別包含第二半導體層及活性層；

第一電極，覆蓋該多個半導體柱的一部分，且電性連接該第一半導體層；以及

第二電極，連續覆蓋該多個半導體柱的另一部分的第一半導體柱及第二半導體柱，且電性連接該第一半導體柱的該第二半導體層及該第二半導體柱的該第二半導體層，其中位于該第一電極的覆蓋區域下方的該多個半導體柱包含第一間距以彼此分離，位于該第一電極的該覆蓋區域以外的該多個半導體柱包含第二間距以彼此分離，及該第一間距的寬度大于該第二間距的寬度。

2.一種發光元件，其特征在于，包含：

第一半導體層；

多個半導體柱，位于該第一半導體層上，該多個半導體柱分別包含第二半導體層及活性層；

第一電極，覆蓋該多個半導體柱的一部分，且電性連接該第一半導體層；

第二電極，連續覆蓋該多個半導體柱的另一部分的第一半導體柱及第二半導體柱，且電性連接該第一半導體柱的該第二半導體層及該第二半導體柱的該第二半導體層；以及

半導體平臺，包含該第一半導體層及該第二半導體層位于該第一電極下方，其中位于該第一電極的覆蓋區域以外的該多個半導體柱包含一間距以彼此分離，該半導體平臺包含一寬度大于該間距的一寬度。

3.一種發光元件，其特征在于，包含：

第一半導體層；

多個半導體柱，位于該第一半導體層上，該多個半導體柱分別包含第二半導體層及活性層；

第一接觸層，含第一接觸部及第一延伸部，該第一接觸部包含面積大于該多個半導體柱之一的面積，該第一延伸部環繞該多個半導體柱；

第一電極，覆蓋該多個半導體柱的一部分，且電性連接該第一半導體層；以及

第二電極，連續覆蓋該多個半導體柱的另一部分的第一半導體柱及第二半導體柱，且電性連接該第一半導體柱的該第二半導體層及該第二半導體柱的該第二半導體層，其中該第一接觸部位于該第一電極或該第二電極的下方。

4.如權利要求3所述的發光元件，還包含第二接觸層位于該第二半導體層上。

5.如權利要求4所述的發光元件，還包含第一絕緣層位于該第一接觸層上及該第二接觸層上，以及第二絕緣層位于該第一絕緣層上，其中該第一絕緣層包含第一絕緣層的第一開口及該第二絕緣層包含第二絕緣層的第一開口皆位于該第一接觸層上；該第一絕緣層包含第一絕緣層的第二開口位于該第二接觸層上；以及該第二絕緣層包含第二絕緣層的第二開口位于該第一接觸層上。

6.如權利要求4所述的發光元件，還包含第一電極接觸層位于該第一接觸層及該第一電極之間；第二電極接觸層位于該第二接觸層及該第二電極之間，其中該第一電極接觸層為該第二電極接觸層所環繞。

7.如權利要求6所述的發光元件，其中該第一電極接觸層覆蓋該第一接觸層的部分，及該第二電極接觸層覆蓋該第二接觸層的全部。

8.如權利要求6所述的發光元件，其中該第一電極接觸層包含一寬度大于該半導體柱的一寬度。

9.一種發光元件，其特征在于，包含：

第一半導體層，包含第一上表面；

多個半導體柱，位于該第一半導體層上，該多個半導體柱分別至少包含第二半導體層及活性層，其中該活性層包含一第二上表面，且位于該第一半導體層上并露出該第一半導體層的該第一上表面，該第二半導體層位于該活性層上并露出該活性層的該第二上表面；

第一電極，覆蓋該多個半導體柱的一部分，且電性連接該第一半導體層；以及

第二電極，連續覆蓋該多個半導體柱的另一部分的第一半導體柱及第二半導體柱，且電性連接該第一半導體柱的該第二半導體層及該第二半導體柱的該第二半導體層，其中發光元件發出一UV光。