[發明專利]結晶性半導體膜和板狀體以及半導體裝置

在審

• 申請號: 201810759140.5
• 申請日: 2015-07-21
• 公開（公告）號: CN108899359A
• 公開（公告）日: 2018-11-27
• 發明（設計）人: 人羅俊實;織田真也;高塚章夫
• 申請（專利權）人: FLOSFIA株式會社
• 主分類號: H01L29/24
• 分類號: H01L29/24;H01L29/04;H01L29/739;H01L29/772;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/808;H01L29/812;H01L29/872;H01L21/02;H01L21/34;H01L33/00;H01L33/26
• 代理公司: 深圳瑞天謹誠知識產權代理有限公司 44340
• 代理人: 溫青玲

1.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

膜厚為1μm以上的結晶性半導體膜，包括具有剛玉結構的氧化物半導體作為主成分，所述剛玉結構的氧化物半導體包括鎵、銦和/或鋁中的1種或2種以上的氧化物；

以及設置于所述結晶性半導體膜上的肖特基電極，其包括選自Al、Mo、Co、Zr、Sn、Nb、Fe、Cr、Ta、Ti、Au、Pt、V、Mn、Ni、Cu、Hf、W、Ir、Zn、In、Pd、Nd和Ag中的至少1種金屬。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述肖特基電極包括合金。

3.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

膜厚為1μm以上的結晶性半導體膜，包括具有剛玉結構的氧化物半導體作為主成分，所述剛玉結構的氧化物半導體包括鎵、銦和/或鋁中的1種或2種以上的氧化物；

以及設置于所述結晶性半導體膜上的肖特基電極，其包括金屬氧化物導電膜。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其特征在于，

所述金屬氧化物導電膜包括選自氧化錫、氧化鋅、氧化銦、氧化銦錫(ITO)和氧化鋅銦(IZO)中的至少1種金屬氧化物。

5.一種半導體裝置，其特征在于，包括：

膜厚為1μm以上的結晶性半導體膜，包括具有剛玉結構的氧化物半導體作為主成分，所述剛玉結構的氧化物半導體包括鎵、銦和/或鋁中的1種或2種以上的氧化物；

以及設置于所述結晶性半導體膜上的肖特基電極，其包括有機導電性化合物。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，

所述肖特基電極中包括的所述有機導電性化合物包括選自聚苯胺、聚噻吩和聚吡咯中的至少1種。

7.根據權利要求1或3或5所述的半導體裝置，其特征在于，

所述肖特基電極包括第1層，以及設置于所述第1層上的第2層。

8.根據權利要求1或3或5所述的半導體裝置，其特征在于，

所述結晶性半導體膜包括單晶膜。

9.根據權利要求1或3或5所述的半導體裝置，其特征在于，

所述結晶性半導體膜包括多晶膜。

10.根據權利要求1或3或5所述的半導體裝置，其特征在于，

所述結晶性半導體膜包括自支撐膜。

11.根據權利要求1或3或5所述的半導體裝置，其特征在于，

所述結晶性半導體膜包括摻雜物。

12.根據權利要求1或3或5所述的半導體裝置，其特征在于，

所述結晶性半導體膜包括n-型半導體層。

13.根據權利要求1或3或5所述的半導體裝置，其特征在于，

所述結晶性半導體膜包括第1層和第2層；

所述第1層包括剛玉結構的氧化物，其包括鎵、銦和/或鋁中的1種或2種以上的氧化物。

14.根據權利要求13所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第2層包括剛玉結構的氧化物，其與包括剛玉結構的氧化物的所述第1層包括相同的氧化物。

15.根據權利要求13所述的半導體裝置，其特征在于，

所述第1層是n-型半導體層，所述第2層是n+型半導體層。

16.根據權利要求1或3或5所述的半導體裝置，其特征在于，包括：

作為第1電極的肖特基電極；

以及第2電極；

所述肖特基電極設置于所述半導體裝置的第1側，所述第2電極設置于與所述第1側相反的第2側。