[發(fā)明專利]靜電卡盤

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810744977.2
• 申請日: 2018-07-09
• 公開（公告）號: CN109256355A
• 公開（公告）日: 2019-01-22
• 發(fā)明（設計）人: 千東謙太;飯?zhí)镉⒁?/a>;山田智広;西田吉輝;高橋宏行;藤谷涼子;橫尾晉
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;于靖帥

提供靜電卡盤，該靜電卡盤抑制了在帶與保持面之間產(chǎn)生氣泡，防止帶灼燒。靜電卡盤(4)利用保持面(41)對在下表面粘貼有帶(T)的晶片(W)進行保持，該靜電卡盤(4)包含：多個細孔(40)，它們形成于保持面，與吸引源(43)連通；凹凸(D)，其形成在保持面上，與多個細孔連接；以及電極(44)，其配設在該靜電卡盤(4)的內(nèi)部。在使細孔與吸引源連通而對晶片進行吸引保持時，凹凸成為保持面上的吸引路。

技術領域

本發(fā)明涉及靜電卡盤。

背景技術

在被磨削裝置磨削后的晶片的被磨削面上殘留有磨削痕，該磨削痕成為晶片的抗折強度降低的原因。因此，提出了通過等離子蝕刻將磨削痕從晶片的被磨削面去除的裝置(例如，參照專利文獻1)。等離子蝕刻裝置經(jīng)由開閉門將晶片從外部搬入到腔室(減壓室)內(nèi)，在對腔室內(nèi)進行了減壓的狀態(tài)下提供蝕刻氣體。并且，使等離子化的蝕刻氣體與晶片進行反應而將磨削痕從被磨削面去除，抑制了因磨削完的晶片的磨削痕而導致的抗折強度的降低。

在這樣的等離子蝕刻裝置中，為了使腔室內(nèi)為真空狀態(tài)，保持晶片的卡盤工作臺沒有采用真空吸附式的卡盤工作臺，而是采用了靜電吸附式的卡盤工作臺、即所謂的靜電卡盤。

專利文獻1：日本特開2016-143785號公報

另外，在晶片的下表面粘貼有帶來作為保護部件，晶片隔著該帶載置在靜電卡盤的上表面上。在該情況下，有時在帶與靜電卡盤之間形成氣泡(間隙)。為了消除蝕刻氣體與晶片進行了反應的反應熱，在靜電卡盤的內(nèi)部形成有供冷卻水流通的冷卻水路。當在形成有該氣泡的狀態(tài)下實施等離子蝕刻時，因氣泡而導致靜電卡盤的上表面沒有與帶接觸，因此帶未被冷卻而被暴露于因反應熱導致的高溫中，其結果為，帶的粘接劑融化，在將帶從晶片剝離時，粘接劑殘留在器件上。另外，當帶被暴露于更高溫度中時，帶有可能融化而出現(xiàn)開孔，即產(chǎn)生所謂的“帶灼燒”的現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容

因此，本發(fā)明的目的在于，提供能夠抑制在帶與保持面之間產(chǎn)生氣泡從而防止帶灼燒的靜電卡盤。

根據(jù)本發(fā)明，提供靜電卡盤，該靜電卡盤具有保持面，該保持面與在一個面上粘貼有帶的晶片的該帶接觸而保持晶片，其中，該帶包含樹脂基材和形成在該樹脂基材的一個面上的糊層，該靜電卡盤具有：多個細孔，它們形成于該保持面，與吸引源連通；多個凹凸，它們形成在該保持面上，與該細孔連接；以及電極，其配設在該靜電卡盤的內(nèi)部，在使該細孔與吸引源連通而對晶片進行吸引保持時，形成在該保持面上的該凹凸成為該保持面上的吸引路。

根據(jù)該結構，通過在保持面上形成凹凸，即使晶片隔著帶被保持面吸引保持，但由于凹凸與細孔連接，因此也能夠抑制在帶與保持面之間產(chǎn)生氣泡。因此，即使之后實施等離子蝕刻等規(guī)定的加工，也能夠防止產(chǎn)生帶灼燒。

根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制在帶與保持面之間產(chǎn)生氣泡，防止帶灼燒。

附圖說明

圖1的(A)、(B)和(C)是通過現(xiàn)有的靜電卡盤對晶片進行保持的情況的局部放大圖。

圖2是本實施方式的等離子蝕刻裝置的剖視示意圖。

圖3是示出本實施方式的靜電卡盤的一例的立體圖。

圖4的(A)和(B)是通過靜電卡盤對晶片進行吸引時的示意圖。

標號說明

T：帶(樹脂基材)；W：晶片；4：靜電卡盤；41：保持面(凹凸面)；40：細孔；43：吸引源；44：電極；B：氣泡；D：凹凸；G：間隙(吸引路)。

具體實施方式