[發(fā)明專利]結(jié)合制造工藝及仿真的電子類單機貯存可靠性評估方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810725454.3 | 申請日： | 2018-07-04 |
| 公開（公告）號： | CN108984881A | 公開（公告）日： | 2018-12-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 翟國富;葉雪榮;鄭博愷;司爽;林義剛 | 申請（專利權(quán)）人： | 哈爾濱工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號： | G06F17/50 | 分類號： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 哈爾濱龍科專利代理有限公司 23206 | 代理人： | 高媛 |
| 地址： | 150000 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 單機 貯存 可靠性評估 底層單元 仿真模型 輸出特性 單機功能 退化模型 退化數(shù)據(jù) 制造工藝 加速貯存試驗 失效機理分析 靈敏度分析 多物理場 工藝數(shù)據(jù) 失效模式 影響電子 最小二乘 耦合模型 實測 | ||
1.一種結(jié)合制造工藝及仿真的電子類單機貯存可靠性評估方法，其特征在于所述方法步驟如下：
步驟一：根據(jù)電子類單機的原理功能及原理圖，利用仿真軟件建立電子類單機功能仿真模型；
步驟二：基于步驟一所建立的電子類單機功能仿真模型，利用靈敏度分析方法，結(jié)合使用廠家調(diào)研結(jié)果，確定影響電子類單機輸出特性指標的關(guān)鍵底層單元；
步驟三：根據(jù)步驟二中對使用廠家的調(diào)研結(jié)果，得到電子類單機在實際貯存過程中出現(xiàn)的失效模式，分析與之對應(yīng)的失效機理，確定基于失效物理的各關(guān)鍵底層單元貯存退化模型形式；
步驟四：針對電子類單機各關(guān)鍵底層單元進行加速貯存退化試驗，監(jiān)測各關(guān)鍵底層單元輸出特性的貯存退化數(shù)據(jù)；
步驟五：通過調(diào)研電子類單機各關(guān)鍵底層單元的生產(chǎn)廠家及實際跟廠，得到各關(guān)鍵底層單元的工藝過程數(shù)據(jù)，即各關(guān)鍵底層單元的輸出特性初始分布情況；同時，結(jié)合步驟三中得到的各關(guān)鍵底層單元的貯存退化模型及步驟四中各關(guān)鍵底層單元的貯存試驗退化數(shù)據(jù)，利用粒子濾波預(yù)測方法，得到具有分布特性的各關(guān)鍵底層單元貯存退化模型；
步驟六：根據(jù)電子類單機的結(jié)構(gòu)特點，對步驟五中得到的具有分布特性的各底層單元貯存退化模型進行隨機抽樣，抽選出可構(gòu)建n個電子類單機的n組關(guān)鍵底層單元組合，并將貯存時間帶入，得到n組關(guān)鍵底層單元貯存退化數(shù)據(jù)；
步驟七：將步驟六中所得到n組關(guān)鍵底層單元組合的貯存退化數(shù)據(jù)帶入步驟一中所建立的電子類單機功能仿真模型中，得到n組虛擬的電子類單機輸出特性參數(shù)貯存退化數(shù)據(jù)；
步驟八：利用最小二乘法對步驟七所得到的n組虛擬的電子類單機輸出特性參數(shù)貯存退化數(shù)據(jù)在各貯存時間下的分布情況進行擬合，得到電子類單機各貯存時刻輸出特性退化數(shù)據(jù)分布參數(shù)；
步驟九：利用最小二乘法對步驟八中得到的電子類單機各貯存時刻輸出特性退化數(shù)據(jù)分布參數(shù)進行擬合，得到電子類單機輸出特性退化數(shù)據(jù)分布參數(shù)退化模型；
步驟十：根據(jù)步驟九中得到的電子類單機輸出特性退化數(shù)據(jù)分布參數(shù)退化模型，將貯存時間t帶入，得到t時刻電子類單機輸出特性退化數(shù)據(jù)的分布概率密度函數(shù)，結(jié)合電子類單機失效閾值，計算電子類單機在t時刻的貯存可靠度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)合制造工藝及仿真的電子類單機貯存可靠性評估方法，其特征在于所述步驟十中，電子類單機在t時刻的貯存可靠度計算公式如下：
式中，f(Dt|Y1t,Y2t,…,Ymt)為t時刻退化數(shù)據(jù)的分布概率密度函數(shù)，Dt為t時刻退化數(shù)據(jù)，Y1t,Y2t,…,Ymt為退化數(shù)據(jù)分布概率密度函數(shù)在t時刻的m個分布參數(shù)，KU和KL分別為失效閾值上下限。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于哈爾濱工業(yè)大學(xué)，未經(jīng)哈爾濱工業(yè)大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810725454.3/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
