[發(fā)明專(zhuān)利]一種陶瓷基PCB覆銅板及覆銅方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810697550.1
• 申請(qǐng)日: 2018-06-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108966489A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-12-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張軍然;徐永兵;張勇;王倩
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 南京大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H05K1/03
• 分類(lèi)號(hào): H05K1/03;H05K3/02;B32B9/00;B32B9/04;B32B15/20;B32B37/10;B32B37/06;B32B38/00
• 代理公司: 南京瑞弘專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32249
• 代理人: 陳建和

1.一種陶瓷基PCB覆銅板，其特征在于，包括陶瓷片(1)、銅箔(3)，上下兩層銅箔(3)之間設(shè)有陶瓷片(1)，且陶瓷片(1)與銅箔(3)之間有一層用電子束蒸鍍方法得到的金屬薄膜(2)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種陶瓷基PCB覆銅板，其特征在于，所述金屬薄膜(2)為金屬鈦薄膜或者金屬鎳薄膜，且金屬鈦薄膜的生長(zhǎng)厚度為200-500nm，金屬鎳薄膜的生長(zhǎng)厚度為150-300nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種陶瓷基PCB覆銅板，其特征在于，所述上下兩層銅箔(3)與夾在銅箔(3)間的上下兩層金屬薄膜(2)、陶瓷片(1)之間對(duì)齊壓合連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任意一項(xiàng)所述陶瓷基PCB覆銅板的覆銅方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：按重量比，稱(chēng)量97-99份Al₂O₃粉體、1-2份MgO粉體、0.5-1份CaO粉體、0.5-1份SiO₂粉體放入行星混合球磨機(jī)中，加入200ml酒精，以200-300r/min速度，球磨10-12小時(shí)；

S2：將步驟S1中球磨得到的混合物烘干后，采用干壓成型機(jī)以4-6MPa的壓力干壓成為陶瓷坯體；

S3：將步驟S2中得到的陶瓷坯體放置于馬弗爐中，以900-950℃燒結(jié)10-12小時(shí)；

S4：將步驟S3中燒結(jié)得到的陶瓷切割至所需要的厚度，依次用2000目和4000目砂紙打磨至光滑；

S5：將步驟S4得到的陶瓷片放置于電子束蒸鍍腔體中，進(jìn)行金屬薄膜蒸鍍；

S6：將步驟S5中得到的樣品的上下兩面放上銅箔，放到熱壓爐中進(jìn)行熱壓；

S7：待步驟S6過(guò)程結(jié)束后，自然降溫至室溫，然后以小于0.1MPa/s的卸壓速度卸壓，將壓合好的陶瓷基PCB覆銅板從熱壓爐中取出，得到最后所要的樣品。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種陶瓷基PCB覆銅板的覆銅方法，其特征在于，所述步驟S1中各粉體的粒徑小于200納米。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種陶瓷基PCB覆銅板的覆銅方法，其特征在于，所述步驟S5中，生長(zhǎng)金屬鈦薄膜時(shí)，生長(zhǎng)前，腔體真空度抽到1×10^-7mbar以下，生長(zhǎng)速度為0.1nm/s，生長(zhǎng)厚度為200-500nm，陶瓷片溫度為350-400℃。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種陶瓷基PCB覆銅板的覆銅方法，其特征在于，所述步驟S5中，生長(zhǎng)金屬鎳薄膜時(shí)，生長(zhǎng)前，腔體真空度抽到1×10^-7mbar以下，生長(zhǎng)速度為0.7nm/s，生長(zhǎng)厚度為150-300nm，陶瓷片溫度為450-500℃。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種陶瓷基PCB覆銅板的覆銅方法，其特征在于，所述步驟S6中的熱壓條件為：真空度抽到大于1×10^-3mbar后，開(kāi)始升溫，升溫過(guò)程為先用30-50分鐘快速升到150℃，然后用90-100分鐘時(shí)間升溫到380-405℃，最后保溫120-180分鐘；對(duì)應(yīng)加壓的過(guò)程分為兩步，升溫過(guò)程施加壓力為2-3MPa，保溫過(guò)程施加壓力為2.5-3.5MPa。