[發明專利]一種發光二極管外延片及其制造方法有效
| 申請號： | 201810697545.0 | 申請日： | 2018-06-29 |
| 公開（公告）號： | CN109065679B | 公開（公告）日： | 2020-05-19 |
| 發明（設計）人： | 蘇晨;王慧;肖揚;呂蒙普;胡加輝;李鵬 | 申請（專利權）人： | 華燦光電（浙江）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/08;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 發光二極管 外延 及其 制造 方法 | ||
1.一種發光二極管外延片，所述發光二極管外延片包括襯底、緩沖層、N型半導體層、有源層和P型半導體層，所述緩沖層、所述N型半導體層、所述有源層和所述P型半導體層依次層疊在所述襯底上；所述有源層包括依次層疊的多個復合結構，每個所述復合結構包括依次層疊的阱層、蓋層和壘層，所述阱層的材料為InGaN，所述壘層的材料為GaN，其特征在于，所述蓋層的材料為BxGa1-xN，0＜x＜1；所述蓋層的生長溫度與所述阱層的生長溫度相同，所述蓋層的生長壓力為20torr，x沿所述蓋層的層疊方向逐漸減小。
2.根據權利要求1所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述蓋層的厚度為1nm～2nm。
3.根據權利要求2所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述阱層的厚度為3nm～8nm。
4.根據權利要求2或3所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述壘層的厚度為8nm～15nm。
5.根據權利要求1～3任一項所述的發光二極管外延片，其特征在于，所述復合結構的數量為5個～10個。
6.一種發光二極管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一襯底；
在所述襯底上依次生長緩沖層、N型半導體層、有源層和P型半導體層；
其中，所述有源層包括依次層疊的多個復合結構，所述復合結構包括依次層疊的阱層、蓋層和壘層，所述阱層的材料為InGaN，所述壘層的材料為GaN，所述蓋層的材料為BxGa1-xN，0＜x＜1；所述蓋層的生長溫度與所述阱層的生長溫度相同，所述蓋層的生長壓力為20torr，x沿所述蓋層的層疊方向逐漸減小。
7.根據權利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述阱層的生長壓力為150torr～300torr。
8.根據權利要求6或7所述的制造方法，其特征在于，所述壘層的生長壓力為150torr～300torr。
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