[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體薄膜晶體管的制造方法及顯示面板

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810694014.6
• 申請日: 2018-06-29
• 公開（公告）號: CN110729197A
• 公開（公告）日: 2020-01-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張錫明;姜信銓;黃彥余
• 申請（專利權(quán)）人: 中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L21/34
• 分類號: H01L21/34;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 11205 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 吳志紅;臧建明

1.一種半導(dǎo)體薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，包括：

提供基板；

形成半導(dǎo)體圖案于所述基板上；

形成第一絕緣層于所述基板上，并覆蓋所述半導(dǎo)體圖案；

形成第一金屬層于所述第一絕緣層上，且所述第一絕緣層位于所述半導(dǎo)體圖案與所述第一金屬層之間；

形成半色調(diào)光刻膠圖案于所述第一金屬層上，所述半色調(diào)光刻膠圖案暴露部分所述第一金屬層；

移除所述半色調(diào)光刻膠圖案暴露的部分所述第一金屬層，以形成柵極，且所述柵極覆蓋部分所述半導(dǎo)體圖案；以及

形成源極以及漏極于所述半導(dǎo)體圖案上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述形成半導(dǎo)體圖案的步驟包括：

形成半導(dǎo)體材料層于所述基板上；以及

圖案化所述半導(dǎo)體材料層以形成所述半導(dǎo)體圖案。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體材料層的材料為金屬氧化物。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述形成半色調(diào)光刻膠圖案的步驟包括：

形成光刻膠層于所述第一金屬層上；以及

圖案化所述光刻膠層以形成第一光刻膠圖案、第二光刻膠圖案以及第一開口，

其中所述第一光刻膠圖案的厚度大于所述第二光刻膠圖案的厚度，且所述第一開口重疊部分所述半導(dǎo)體圖案并暴露部分所述第一金屬層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述形成柵極的步驟包括：

移除所述第一開口暴露的部分所述第一金屬層，以形成第一金屬圖案并暴露部分所述第一絕緣層；

對所述第一光刻膠圖案與所述第二光刻膠圖案進行灰化，以移除所述第二光刻膠圖案并形成第一薄化光刻膠圖案；以及

移除所述第一薄化光刻膠圖案所未覆蓋的所述第一金屬圖案，以形成所述柵極，

其中所述柵極覆蓋的部分所述半導(dǎo)體圖案定義為通道區(qū)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，在進行灰化的步驟之前，還包括：

移除所述第一金屬圖案所暴露的所述第一絕緣層以形成第一絕緣圖案、柵絕緣層及第二開口，所述第二開口分別暴露部分所述半導(dǎo)體圖案，

其中所述第一開口對位重疊所述第二開口，且所述柵極與所述柵絕緣層部分重疊所述半導(dǎo)體圖案并對位重疊所述第一薄化光刻膠圖案。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，形成所述源極與所述漏極的步驟包括：

形成第二絕緣層于所述基板上，其覆蓋并導(dǎo)體化所述通道區(qū)相對兩側(cè)的所述半導(dǎo)體圖案為源極區(qū)以及漏極區(qū)；

圖案化所述第二絕緣層以形成第二絕緣圖案，其具有分別對應(yīng)所述源極區(qū)及所述漏極區(qū)的多個開孔；以及

形成第二金屬圖案于所述第二絕緣圖案上，所述第二金屬圖案包括所述源極以及所述漏極，分別通過所述多個開孔電性連接對應(yīng)的所述源極區(qū)及所述漏極區(qū)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，形成所述第二絕緣層的方法包括等離子體增強化學(xué)氣相沉積法。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述第一金屬圖案以及所述第二金屬圖案的材料包括鉬、鋁、鈦、鉬合金、鋁合金或上述組合中的任何一種。

10.一種顯示面板，其特征在于，包括：

像素陣列基板，包括：

如權(quán)利要求1至9其中任一項所述的方法制備的半導(dǎo)體薄膜晶體管；以及

像素電極，設(shè)置于所述第二絕緣圖案上并電性連接所述第二金屬圖案；

對向基板，位于所述像素陣列基板的對向；以及

顯示介質(zhì)層，位于所述像素陣列基板與所述對向基板之間。