[發(fā)明專利]一種觸控層的制作方法及設備

有效

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• 申請日: 2018-06-28
• 公開（公告）號: CN108776423B
• 公開（公告）日: 2020-10-30
• 發(fā)明（設計）人: 劉威;崔子龍;俎阿敏;吳德生
• 申請（專利權）人: 信利光電股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G06F3/041;C23C14/34;C23C14/08
• 代理公司: 深圳市深佳知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 44285
• 代理人: 王仲凱

本發(fā)明實施例公開了一種觸控層的制作方法及設備，包括向光刻膠層上濺鍍透光膜層；采用曝光光源通過鉻板膜面及透光膜層對光刻膠層進行曝光處理，使鉻板膜面上的圖案轉(zhuǎn)移至光刻膠層上；其中，鉻板膜面與透光膜層直接接觸；將鉻板從透光膜層上移開，并去除位于曝光后的光刻膠層上的透光膜層，得到帶有圖案的光刻膠層。可見，本發(fā)明實施例在對光刻膠層進行曝光的過程中避免了鉻板與光刻膠層的直接接觸，從而避免光學膠層在曝光后出現(xiàn)圖案斷線現(xiàn)象的發(fā)生，在確保曝光精度的同時提高了觸控層的制作良率。

技術領域

本發(fā)明實施例涉及電子產(chǎn)品制作技術領域，特別是涉及一種觸控層的制作方法及設備。

背景技術

隨著科技的發(fā)展，帶有觸摸功能的電子產(chǎn)品在生活中的應用越來越廣泛。目前，玻璃結構的觸控層的制作一般采用黃光工藝，并且采用非接觸曝光的方式進行曝光。即鉻板膜面與光刻膠層之間存在一定的間隙，由于光存在散射，間隙的存在使曝光時的實際受光區(qū)域會大于設計區(qū)域，極大的影響了觸控層對精細線寬的要求。例如目前市場上的metalmesh等對線條要求在5um甚至是4um以下，如果采用非接觸式曝光，對曝光機要求很高，并且設備及其昂貴，一般的非接觸式曝光機很難滿足。而采用接觸式曝光的方式制作觸摸屏時，鉻板膜面需要與光刻膠直接接觸，這種方式消除了間隙，可以在很大程度上提高曝光精度，但是，采用接觸式曝光制作觸控層時，光刻膠容易與鉻板粘結，從而造成光刻膠上的圖案斷線，使觸控層的制作良率降低。

鑒于此，如何提供一種解決上述技術問題的觸控層制作方法及設備成為本領域技術人員目前需要解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例的目的是提供一種觸控層的制作方法及設備，在使用過程中能夠避免光學膠層在曝光后出現(xiàn)圖案斷線現(xiàn)象的發(fā)生，在確保曝光精度的同時提高了觸控層的制作良率。

為解決上述技術問題，本發(fā)明實施例提供了一種觸控層的制作方法，包括：

向光刻膠層上濺鍍透光膜層；

采用曝光光源通過鉻板膜面及所述透光膜層對所述光刻膠層進行曝光處理，使所述鉻板膜面上的圖案轉(zhuǎn)移至所述光刻膠層上；其中，所述鉻板膜面與所述透光膜層直接接觸；

將所述鉻板從所述透光膜層上移開，并去除位于曝光后的光刻膠層上的透光膜層，得到帶有所述圖案的光刻膠層。

可選的，所述去除位于曝光后的光刻膠層上的透光膜層的過程為：

采用化學蝕刻的方法對位于曝光后的光刻膠層上的透光膜層進行蝕刻處理，以去除所述透光膜層。

可選的，所述向光刻膠層上濺鍍透光膜層的過程為：

所述向光刻膠層上濺鍍氧化銦錫膜層。

可選的，所述采用化學蝕刻的方法對位于曝光后的光刻膠層上的透光膜層進行蝕刻處理，以去除所述透光膜層的過程為：

采用酸刻蝕的方式對位于曝光后的光刻膠層上的氧化銦錫膜層進行蝕刻處理，以去除所述氧化銦錫膜層。

可選的，所述向光刻膠層上濺鍍氧化銦錫膜層的過程為：

采用磁控濺鍍的方式將氧化銦錫濺鍍至所述光刻膠層的表面形成氧化銦錫膜層。

可選的，所述采用磁控濺鍍的方式將氧化銦錫濺鍍至所述光刻膠層的表面形成氧化銦錫膜層的過程為：

采用磁控濺鍍的方式通過包含鈮的氧化銦錫靶材將氧化銦錫濺鍍至所述光刻膠層的表面形成氧化銦錫膜層。

可選的，還包括通過酸蝕刻的方法對位于所述光刻膠層下方的金屬層進行蝕刻處理，以便所述金屬層形成具有所述圖像的金屬電極。

本發(fā)明實施例還提供了一種觸控層的制作設備，包括：

濺鍍裝置，用于向光刻膠層上濺鍍透光膜層；