[發(fā)明專利]薄膜結(jié)構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810677661.6
• 申請日: 2018-06-27
• 公開（公告）號: CN110649106A
• 公開（公告）日: 2020-01-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 謝文俊;林振吉
• 申請（專利權(quán)）人: 中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L31/028
• 分類號: H01L31/028;H01L33/02
• 代理公司: 11205 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 張曉霞;臧建明

1.一種薄膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

非晶硅薄膜；以及

多個納米粒子，于所述非晶硅薄膜的表面上，且所述多個納米粒子的材料包括光熱效應(yīng)材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多個納米粒子為多個棒狀納米粒子，且所述多個棒狀納米粒子的延伸方向不垂直于所述非晶硅薄膜的所述表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，各所述多個棒狀納米粒子包括芯層與介電皮層，所述介電皮層包裹所述芯層，且所述芯層的材料不同于所述介電皮層的材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯層的材料包括金屬，且所述介電皮層的材料選自氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的一種或多種。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述介電皮層經(jīng)由涂布方式形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，

所述介電皮層的厚度介于5納米至50納米之間；或

所述多個棒狀納米粒子的截面積總和占所述非晶硅薄膜表面積的比例介于30％至100％之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多個棒狀納米粒子的材料包括硅或鍺。

8.根據(jù)權(quán)利要求2至7中任一權(quán)利要求所述的薄膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，

所述多個棒狀納米粒子的長徑比介于1.1至10之間；或

所述多個棒狀納米粒子于所述非晶硅薄膜上的涂布密度大于1.5×10¹³個/平方厘米。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多個納米粒子的材料選自硅、金屬摻雜硅、三五族鍺類半導(dǎo)體、硫化銅類金屬硫化物、納米碳管、石墨烯類碳基材料、氧化鐵類磁性材料、量子點、上轉(zhuǎn)換材料中的一種或多種。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的薄膜結(jié)構(gòu)，其特征在于，

所述多個納米粒子的粒徑介于10納米至100納米之間；或

所述多個納米粒子于所述非晶硅薄膜上的涂布密度介于5個/平方微米至100個/平方微米。