[發明專利]一種新型太赫茲波調制器

在審

• 申請號: 201810676918.6
• 申請日: 2018-06-22
• 公開（公告）號: CN108845437A
• 公開（公告）日: 2018-11-20
• 發明（設計）人: 張東平;黃瑩;楊宇
• 申請（專利權）人: 深圳大學
• 主分類號: G02F1/00
• 分類號: G02F1/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種新型太赫茲波調制器，其特征在于由襯底層(1)、調制層(2)、和具有周期性金屬諧振單元陣列結構的濾波層(3)組成。所述的襯底層(1)在最底層，調制層(2)在中間，濾波層(3)在最頂層。襯底層(1)為單晶本征硅，調制層(2)厚度為20-160nm的二氧化釩材料，濾波層(3)的金屬諧振單元材料為金，具有“Cl”形結構，包括“I”矩形金屬條(4)和“C”形開口圓環(5)，開口圓環(5)上開口(6)開口方向遠離“I”矩形金屬條(4)一端。其金屬諧振層厚度為50-200nm，矩形金屬條(4)長70-140μm，寬10-20μm，矩形中心離圓心50-75μm。開口圓環(5)外徑與矩形金屬條(4)長相同，開口圓環(5)的環寬與矩形金屬條(4)寬度相同，圓環上的開口(6)寬1-7μm。相鄰金屬諧振單元間距為130-180μm。

2.根據權利要求1所述的一種新型太赫茲波調制器，其特征在于構成該調制器的襯底(1)也可以是其他在太赫茲波下呈透明的材料，調制層(2)也可以是其他在某種外界激勵下具有半導體-金屬相變特性的材料，濾波層(3)的材料也可以是其他導電性能良好的金屬。

3.根據權利要求1所述的一種新型太赫茲波調制器，其特征在于諧振單元開口圓環(5)的開口方向也可以根據所要調制的波長是其他任意方向。

4.根據權利要求1所述的一種新型太赫茲波調制器，其結構也可以根據需要在濾波層外增加一層或多層介質層，以對調制器進行保護。