[發明專利]檢測晶圓缺陷的方法和系統

有效

• 申請號: 201810671007.4
• 申請日: 2018-06-26
• 公開（公告）號: CN108831844B
• 公開（公告）日: 2019-12-06
• 發明（設計）人: 張義東;曾最新;謝海波;梁玲
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 31100 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 駱希聰<國際申請>=<國際公布>=<進入

本發明提供了一種檢測晶圓缺陷的方法，其特征在于，包括以下步驟：獲取待檢測晶圓的至少一部分的紅外熱成像圖；根據所述紅外熱成像圖，識別所述待檢測晶圓的缺陷。本發明提供了一種檢測晶圓缺陷的方法和裝置，通過獲取待檢測晶圓的紅外熱成像圖，將待檢測晶圓的能量信息轉化為圖像信息，識別待檢測晶圓的缺陷，克服了人工目檢的隨機性，也無需昂貴的掃描機，提高了晶圓缺陷檢測的準確性，降低了成本。

技術領域

本發明主要涉及半導體制造領域，尤其涉及一種檢測晶圓缺陷的方法和系統。

背景技術

在半導體晶圓制造過程中，晶圓背面作為與生產測量機臺的物理接觸面會產生許多諸如刮傷、局部腐蝕的缺陷。這些缺陷會造成晶圓在后續制程與機臺接觸不良或晶圓破裂。

目前通常采用晶背缺陷掃描機臺對晶圓背面缺陷進行檢測或是拍照后以人工目檢的方式進行缺陷檢驗。采用晶背缺陷掃描機臺進行缺陷檢測存在兩個問題：第一，晶背缺陷掃描機臺價格昂貴；第二，晶背缺陷掃描機臺檢測晶圓時間較長，導致產能受限。采用人工目檢方式進行檢驗受人為因素影響很大，且由于拍照距離方位等都不固定，照片上的晶背缺陷的尺寸和位置等信息無法被準確測量。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供檢測晶圓缺陷的方法和系統，可以快速、準確和低成本地檢測晶圓缺陷。

為解決上述技術問題，本發明提供了一種檢測晶圓缺陷的方法，其特征在于，包括以下步驟：

獲取待檢測晶圓的至少一部分的紅外熱成像圖；

根據所述紅外熱成像圖，識別所述待檢測晶圓的缺陷。

在本發明的一實施例中，獲取所述待檢測晶圓的背面的至少一部分的紅外熱成像圖。

在本發明的一實施例中，所述探測器適于檢測所述待檢測晶圓主動散發的紅外線。

在本發明的一實施例中，根據所述紅外熱成像圖，識別所述待檢測晶圓的缺陷的方法包括圖像識別算法。

在本發明的一實施例中，在識別所述待檢測晶圓的缺陷后，還包括：

確定所述缺陷在所述待檢測晶圓中的位置。

在本發明的一實施例中，確定所述缺陷在所述待檢測晶圓中的位置的步驟包括：

在所述待檢測晶圓中確定第一參考點；

在所述紅外熱成像圖中確定與所述第一參考點對應的第二參考點；

確定所述缺陷在所述紅外熱成像圖中相對于所述第二參考點的位置；

根據所述紅外熱成像圖與所述待檢測晶圓的對應部分的實際尺寸的比例，確定所述缺陷在所述待檢測晶圓中相對于所述第一參考點的位置。

在本發明的一實施例中，還包括根據所述缺陷在所述待檢測晶圓中的位置形成缺陷分布圖。

在本發明的一實施例中，還包括如下步驟：

將所述紅外熱成像圖調整到與所述待檢測晶圓的對應部分一致的尺寸；

在所述待檢測晶圓中確定第一參考點；

在所述紅外熱成像圖中確定與所述第一參考點對應的第二參考點；

確定所述缺陷在所述紅外熱成像圖中相對于所述第二參考點的位置；

根據所述缺陷在所述待檢測晶圓中相對于所述第一參考點的位置與所述缺陷在所述紅外熱成像圖中相對于所述第二參考點的位置相同，確定所述缺陷在所述待檢測晶圓中的位置。

本發明還提供一種檢測晶圓缺陷的裝置，其特征在于，包括：

圖像獲取模塊，用于獲取待檢測晶圓的至少一部分的紅外熱成像圖；