[發明專利]檢測晶圓缺陷的方法和系統有效
| 申請號: | 201810671007.4 | 申請日: | 2018-06-26 |
| 公開(公告)號: | CN108831844B | 公開(公告)日: | 2019-12-06 |
| 發明(設計)人: | 張義東;曾最新;謝海波;梁玲 | 申請(專利權)人: | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 31100 上海專利商標事務所有限公司 | 代理人: | 駱希聰<國際申請>=<國際公布>=<進入 |
| 地址: | 430205 湖北省武漢市洪山區東*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶圓 檢測 紅外熱成像圖 晶圓缺陷 種檢測 隨機性 晶圓缺陷檢測 方法和裝置 能量信息 人工目檢 圖像信息 掃描機 轉化 | ||
1.一種檢測晶圓缺陷的方法,其特征在于,包括以下步驟:
獲取待檢測晶圓的至少一部分主動散發的紅外線生成的紅外熱成像圖;
根據所述紅外熱成像圖,識別所述待檢測晶圓的缺陷;以及
確定所述缺陷在所述待檢測晶圓中的位置。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,獲取所述待檢測晶圓的背面的至少一部分的紅外熱成像圖。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,根據所述紅外熱成像圖,識別所述待檢測晶圓的缺陷的方法包括圖像識別算法。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,確定所述缺陷在所述待檢測晶圓中的位置的步驟包括:
在所述待檢測晶圓中確定第一參考點;
在所述紅外熱成像圖中確定與所述第一參考點對應的第二參考點;
確定所述缺陷在所述紅外熱成像圖中相對于所述第二參考點的位置;
根據所述紅外熱成像圖與所述待檢測晶圓的對應部分的實際尺寸的比例,確定所述缺陷在所述待檢測晶圓中相對于所述第一參考點的位置。
5.根據權利要求4所述的方法,其特征在于,還包括根據所述缺陷在所述待檢測晶圓中的位置形成缺陷分布圖。
6.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,還包括如下步驟:
將所述紅外熱成像圖調整到與所述待檢測晶圓的對應部分一致的尺寸;
在所述待檢測晶圓中確定第一參考點;
在所述紅外熱成像圖中確定與所述第一參考點對應的第二參考點;
確定所述缺陷在所述紅外熱成像圖中相對于所述第二參考點的位置;
根據所述缺陷在所述待檢測晶圓中相對于所述第一參考點的位置與所述缺陷在所述紅外熱成像圖中相對于所述第二參考點的位置相同,確定所述缺陷在所述待檢測晶圓中的位置。
7.一種檢測晶圓缺陷的裝置,其特征在于,包括:
圖像獲取模塊,用于獲取待檢測晶圓的至少一部分主動散發的紅外線生成的紅外熱成像圖;
圖像處理模塊,用于根據所述紅外熱成像圖,識別所述待檢測晶圓的缺陷;以及
定位模塊,用于在識別所述待檢測晶圓的缺陷后,確定所述缺陷在所述待檢測晶圓中的位置。
8.根據權利要求7所述的裝置,其特征在于,所述圖像獲取模塊用于獲取所述待檢測晶圓的背面的至少一部分的紅外熱成像圖。
9.根據權利要求7所述的裝置,其特征在于,所述圖像處理模塊用于根據所述紅外熱成像圖,利用圖像識別算法識別所述待檢測晶圓的缺陷。
10.根據權利要求7所述的裝置,其特征在于,所述定位模塊進一步包括:
第一定位模塊,用于確定所述缺陷在所述紅外熱成像圖中相對于第二參考點的位置;
第二定位模塊,用于根據所述紅外熱成像圖與所述待檢測晶圓的對應部分的實際尺寸的比例,確定所述缺陷在所述待檢測晶圓中相對于第一參考點的位置;
其中,所述第一參考點在所述待檢測晶圓中,所述第二參考點在所述紅外熱成像圖中與所述第一參考點對應的位置。
11.根據權利要求10所述的裝置,其特征在于,還包括圖形模塊,用于根據所述缺陷在所述待檢測晶圓中的位置形成缺陷分布圖。
12.根據權利要求7所述的裝置,其特征在于,所述圖像處理模塊還用于將所述紅外熱成像圖調整到與所述待檢測晶圓的對應部分一致的尺寸;
所述定位模塊進一步包括:
第一定位模塊,用于確定所述缺陷在所述紅外熱成像圖中相對于第二參考點的位置;
第二定位模塊,用于根據所述缺陷在所述待檢測晶圓中相對于第一參考點的位置與所述缺陷在所述紅外熱成像圖中相對于所述第二參考點的位置相同,確定所述缺陷在所述待檢測晶圓中的位置;
其中,所述第一參考點在所述待檢測晶圓中,所述第二參考點在所述紅外熱成像圖中與所述第一參考點對應的位置。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于長江存儲科技有限責任公司,未經長江存儲科技有限責任公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810671007.4/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:漏電測試方法
- 下一篇:一種半導體光刻板清洗的除塵裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





