[發(fā)明專利]一種用單源熱蒸發(fā)制備CH₃NH₃PbI₃薄膜的方法在審

申請?zhí)枺?/td>	201810664742.2	申請日：	2018-06-25
公開（公告）號：	CN108796449A	公開（公告）日：	2018-11-13
發(fā)明（設(shè)計）人：	高斐;武鑫;高蓉蓉;雷婕;王昊旭;李娟;劉生忠	申請（專利權(quán)）人：	陜西師范大學(xué)
主分類號：	C23C14/24	分類號：	C23C14/24;C23C14/06
代理公司：	西安永生專利代理有限責(zé)任公司 61201	代理人：	高雪霞
地址：	710062 ***	國省代碼：	陜西;61
權(quán)利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：
搜索關(guān)鍵詞：	蒸發(fā) 蒸鍍薄膜源熱前驅(qū)體速率比制備沉積薄膜時間保持雙源共蒸蒸發(fā)法制摩爾比源材料蒸發(fā)源地調(diào) 壓片沉積
鉆瓜網(wǎng) 技術(shù)展會專利詞庫專利權(quán)人專利榜在售專利公布日期熱門專利

【權(quán)利要求書】：

1.一種用單源熱蒸發(fā)制備CH₃NH₃PbI₃薄膜的方法，其特征在于：將CH₃NH₃I和PbI₂按摩爾比為1.5～2.5:1充分研磨、混合均勻后壓片，獲得片狀CH₃NH₃PbI₃；然后以片狀CH₃NH₃PbI₃為蒸鍍原料，采用真空熱蒸發(fā)鍍膜設(shè)備在制備有TiO₂電子傳輸層的FTO導(dǎo)電玻璃表面沉積一層厚度為150～300nm的CH₃NH₃PbI₃薄膜，沉積溫度為180～350℃，沉積速率為

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用單源熱蒸發(fā)制備CH₃NH₃PbI₃薄膜的方法，其特征在于：將CH₃NH₃I和PbI₂按摩爾比為1.8～2.0:1充分研磨、混合均勻后壓片，獲得片狀CH₃NH₃PbI₃。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用單源熱蒸發(fā)制備CH₃NH₃PbI₃薄膜的方法，其特征在于：所述沉積溫度為200～300℃，沉積速率為

下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。

免登錄下載普通用戶下載升級VIP會員，免費下載

該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于陜西師范大學(xué)，未經(jīng)陜西師范大學(xué)許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】

本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810664742.2/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。