[發明專利]一種高性能存儲器控制器在審
| 申請號： | 201810660278.X | 申請日： | 2018-06-25 |
| 公開（公告）號： | CN110633228A | 公開（公告）日： | 2019-12-31 |
| 發明（設計）人： | 王強 | 申請（專利權）人： | 成都康元多商貿有限公司 |
| 主分類號： | G06F13/16 | 分類號： | G06F13/16 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 610000 四川省*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 外部存儲器接口模塊 緩存控制模塊 地址通路 數據通路 寄存器配置模塊 中心控制模塊 存儲器控制器 內部接口 高性能存儲器 存儲器接口 片上總線 存儲器 控制器 掛接 帶寬 | ||
【權利要求書】：
1.一種高性能存儲器控制器，其特征在于，包括緩存控制模塊、寄存器配置模塊、中心控制模塊、地址通路、數據通路和外部存儲器接口模塊；所述緩存控制模塊分別與寄存器配置模塊、地址通路和數據通路相連接；所述寄存器配置模塊與中心控制模塊相連接；所述中心控制模塊分別與數據通路、地址通路和外部存儲器接口模塊相連接；所述外部存儲器接口模塊分別與數據通路和地址通路相連接；所述緩存控制模塊連接有內部接口；所述外部存儲器接口模塊連接有存儲器接口。
2.根據權利要求1所述的一種高性能存儲器控制器，其特征在于，所述緩存控制模塊包括訪問電路和FIFO緩存電路。
3.根據權利要求1所述的一種高性能存儲器控制器，其特征在于，所述地址通路模塊包括SDRAM生成地址電路1、SRAM地址生成電路和行列產生電路。
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