[發明專利]一種硅料清洗方法有效
| 申請號： | 201810653407.2 | 申請日： | 2018-06-22 |
| 公開（公告）號： | CN109037028B | 公開（公告）日： | 2021-03-02 |
| 發明（設計）人： | 吳泊岸 | 申請（專利權）人： | 江蘇京尚圓電氣集團有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 揚州潤中專利代理事務所(普通合伙) 32315 | 代理人： | 翁斌 |
| 地址： | 225000 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 清洗 方法 | ||
1.一種硅料清洗方法,其特征在于，包括如下步驟：
a.打磨：將硅料原材料表面進行打磨，去除硅料表面明顯的金屬氧化物、SiO2及其他附著物；
b.酸洗：將步驟a的產物快速浸入酸洗混合溶液中進行酸洗腐蝕，酸洗時間為45-75s；
c.堿洗：將步驟b的產物快速浸入堿洗溶液進行堿洗；
d.清洗：將步驟c的產物放入超聲波清洗槽中，清洗掉硅料上的殘液，超聲波清洗時間為60-120s；
e.濕氧除雜：將步驟d的產物在擴散爐內濕氧氧化，其條件為水浴溫度為90-98℃，氧化溫度為700-820℃，氧氣流量為760-820ml/min，氧化完成后冷卻至常溫并放入氫氟酸溶液中浸泡30-45min，待時間達到后，取出該步驟產物；
f.沖洗烘干：將步驟e的產物用去離子水進行沖洗，沖洗干凈后放入烘箱進行烘干，烘干溫度為105-115℃，烘干時間持續25-35min；烘干完成后包裝入庫；
所述步驟e操作完后，還進行硅粉團提取步驟，其包括，
e1:首先按照1:2的體積比配好氨水和雙氧水的混合溶液，然后將該混合溶液加入到所述步驟e中的浸泡完后的氫氟酸溶液中進行分離反應，所述浸泡完后的氫氟酸溶液與氨水雙氧水混合溶液的體積比為2:1-3:1；
e2:待步驟e1的分離反應10-15min后將三者混合液經過過濾裝置過濾得到沉淀硅粉；
f1:將步驟e2的產物用去離子水進行沖洗，沖洗干凈后放入烘箱進行烘干，烘干溫度為105-115℃，烘干時間持續25-35min；烘干完成后包裝入庫。
2.根據權利要求1所述的一種硅料清洗方法，其特征在于：所述步驟a中的打磨包括一級打磨和二級打磨；所述一級打磨采用特種拋丸機打磨；所述二級打磨是將經所述特種拋丸機打磨后的產物再經角向磨光機進行人工手動二次打磨。
3.根據權利要求1所述的一種硅料清洗方法，其特征在于：所述步驟b中的酸洗混合溶液為濃硝酸與質量百分比濃度為10％氫氟酸的混合液，其中二者質量配比比例為5:1。
4.根據權利要求1所述的一種硅料清洗方法，其特征在于：所述堿洗溶液為片堿與水的混合溶液，其中質量配比比例為1:1。
5.根據權利要求1所述的一種硅料清洗方法，其特征在于：所述擴散爐的型號為M5113-4四管擴散爐。
6.根據權利要求1所述的一種硅料清洗方法，其特征在于：所述步驟e1中的氫氟酸的質量百分比濃度為1％-6％，氨水的質量百分比濃度為25％-28％，雙氧水的質量百分比濃度為50％。
7.根據權利要求1所述的一種硅料清洗方法，其特征在于：所述過濾裝置為硅粉過濾篩。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
