[發明專利]一種基于micro LED技術的新型微顯示器件及其制造方法在審
| 申請號: | 201810640666.1 | 申請日: | 2018-06-14 |
| 公開(公告)號: | CN108711576A | 公開(公告)日: | 2018-10-26 |
| 發明(設計)人: | 邢彥文;李傳南;許桂林;張海明;向浩 | 申請(專利權)人: | 邢彥文;許桂林;向浩 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/44;H01L33/00;G09F9/33 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 200437 上海市虹*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 制備 微顯示器件 電極層 石墨烯 硅基 像素驅動電路 像素單元 防護層 平整層 襯底 防眩 制造 集成電路設計 微型化 石墨烯薄膜 石墨烯材料 單獨驅動 高透光率 工藝制作 硅基晶圓 技術指標 模組封裝 直接形成 產業化 微米級 上層 芯片 測試 圖像 分割 | ||
本發明涉及一種基于micro LED技術的新型微顯示器件及其制造方法,所述新型微顯示器件采用硅基+micro LED的結構,在硅基上直接形成像素驅動電路,然后在上層制備微型化的micro LED陣列,形成一個個的像素單元,每個像素單元單獨驅動以形成圖像,并采用石墨烯材料制備電極層和防眩防護層;所述制造方法包括A)集成電路設計;B)硅基晶圓制備;C)在硅基上采用CMOS集成電路工藝制作像素驅動電路,形成襯底;D)在襯底上制備平整層;E)在平整層上方制備石墨烯電極層;F)在石墨烯電極層上制備微米級micro LED陣列;G)采用高透光率石墨烯薄膜制備石墨烯防眩防護層;H)芯片分割、測試、模組封裝及引線,與現有技術相比,本發明結構簡單,大幅提高了技術指標,并可快速實現產業化。
技術領域
本發明涉及電子元器件領域,尤其是涉及基于micro LED技術的新型微顯示器件及其制造方法,主要應用于微型投影光引擎,可制造多種微型投影顯示視頻終端產品。
背景技術
目前用于微型投影顯示終端的核心微顯示器件相對較成熟的主流技術主要是DLP(Digital Light Processing,數字光處理技術)和LCOS(Liquid Crystal On Silicone,硅基液晶光技術),DLP目前為美國TI全球獨家壟斷,國內微投產業發展嚴重受其絕對定價權限制,而LCOS由于良品率低等原因難以得到有效的產業化發展,且二者皆為反射式投影顯示系統,所形成的光引擎均存在一定的能量損耗,光利用率普遍不高。隨著傳統平板顯示和微型投影顯示技術的發展,未來可期的主流微顯示技術為AMOLED(有源有機發光二極管技術)和micro LED無機發光二極管技術,二者由于都是自發光,均可設計為直射式光引擎系統,四種顯示技術性能對比如下:
分類 DLP LCOS AMOLED Micro LED 顯示系統 反射式 反射式 直射式 直射式 發光效率 相對較低 10% 50% 100% 發光能量密度 10(低) 10(低) 10(低) 100(高) 像素密度 300ppi 300ppi 600ppi 1500ppi 工作電壓 高 高 低 最低 工作溫度 -40℃~105℃ -40℃~100℃ -30℃~85℃ -100℃~120℃ 光學結構 復雜 復雜 較簡單 簡單 反應時間 毫秒(ms) 毫秒(ms) 微秒(us) 納秒(ns)
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





