[發(fā)明專利]一種基于micro LED技術(shù)的新型微顯示器件及其制造方法

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• 申請日: 2018-06-14
• 公開（公告）號: CN108711576A
• 公開（公告）日: 2018-10-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 邢彥文;李傳南;許桂林;張海明;向浩
• 申請（專利權(quán)）人: 邢彥文;許桂林;向浩
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/44;H01L33/00;G09F9/33
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于micro LED技術(shù)的新型微顯示器件，其特征在于：所述新型微顯示器件針對產(chǎn)品應(yīng)用特征，采用硅基+micro LED的結(jié)構(gòu)，根據(jù)芯片設(shè)計，在硅基上直接形成像素驅(qū)動電路，然后在上層制備微型化的micro LED陣列，形成一個個的像素單元，每個像素單元單獨驅(qū)動以形成圖像。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于micro LED技術(shù)的新型微顯示器件，其特征在于，所述像素單元從下向上依次為單晶硅層、CMOS像素驅(qū)動電路層、平整層、電極層、RGB microLED層以及石墨烯防眩防護層，最底層為單晶硅層，表層為石墨烯防眩防護層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于micro LED技術(shù)的新型微顯示器件，其特征在于，所述電極層為采用化學CVD、等離子等設(shè)備工藝技術(shù)在硅基上直接生成的石墨烯薄膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種基于micro LED技術(shù)的新型微顯示器件，其特征在于，所述石墨烯防眩防護膜為直接生成的高透光率石墨烯薄膜。

5.一種基于micro LED技術(shù)的新型微顯示器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

A)集成電路設(shè)計；

B)硅基晶圓制備；

C)在硅基上采用CMOS集成電路工藝制作像素驅(qū)動電路，形成襯底；

D)在襯底上制備平整層；

E)在平整層上方制備石墨烯電極層；

F)在石墨烯電極層上制備微米級micro LED陣列；

G)采用高透過率石墨烯薄膜制備石墨烯防眩防護層；

H)芯片分割、測試、模組封裝及引線。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種基于micro LED技術(shù)的新型微顯示器件的制造方法，其特征在于，所述步驟F)具體包括：

F1)采用傳統(tǒng)的LED工藝和縮微陣列技術(shù)做好RGB陣列，所制作的微顯示器件用于高亮度產(chǎn)品；

F2)采用先做好微米級藍光LED陣列，然后利用綠光和紅光轉(zhuǎn)換材料，通過平面工藝涂覆和刻蝕設(shè)備工藝實現(xiàn)RGB micro LED陣列，做好轉(zhuǎn)換方式的微顯示器，用于相對低亮度的產(chǎn)品。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種基于micro LED技術(shù)的新型微顯示器件的制造方法，其特征在于，所述步驟H)具體包括：

H1)芯片分割、測試、多引線焊接，傳統(tǒng)方形模組封裝；

H2)芯片分割、測試、撓性引線式焊接、封裝。