[發(fā)明專利]一種分裂柵結(jié)構(gòu)下的側(cè)墻柵極隔離刻蝕膜層工藝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810632297.1
• 申請(qǐng)日: 2018-06-19
• 公開（公告）號(hào): CN108831829B
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許鵬凱;喬夫龍;韓朋剛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/28
• 分類號(hào): H01L21/28
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 智云

1.一種分裂柵結(jié)構(gòu)下的側(cè)墻柵極隔離刻蝕膜層工藝，其特征在于，包括下列步驟：

光刻曝光之后，將刻蝕區(qū)域分為光刻膠曝光區(qū)域和光刻膠未曝光區(qū)域，在此之后以光刻膠為掩模層進(jìn)行含硅抗反射層的刻蝕，直至將曝光區(qū)域的含硅抗反射層刻完；

以剩余的光刻膠和含硅抗反射層為掩模層，進(jìn)行SOC的刻蝕；

進(jìn)行未曝光區(qū)域的含硅抗反射層刻蝕，在含硅抗反射層刻蝕過后，SiN仍有剩余；

進(jìn)行SiN刻蝕，刻蝕過后，曝光區(qū)域有源區(qū)以及選擇柵極頂部的氧化硅掩模層被部分刻蝕，側(cè)墻柵極頂部的自然氧化層也被完全移除并使得側(cè)墻柵極被部分刻蝕；

進(jìn)行多晶硅刻蝕，將曝光區(qū)域的側(cè)墻柵極完全移除，沒有多晶硅殘留，而未曝光區(qū)域由于有SOC和SiN的保護(hù)使得多晶硅不會(huì)損失；

進(jìn)行灰化過程，將剩余的SOC完全移除；

采用濕法刻蝕進(jìn)行SiN掩模層移除。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分裂柵結(jié)構(gòu)下的側(cè)墻柵極隔離刻蝕膜層工藝，其特征在于，所述SOC刻蝕步驟中，SOC先于含硅抗反射層被刻蝕干凈，在保證將曝光區(qū)域SOC完全移除的情況下，未曝光區(qū)域的SOC層表面仍完整覆蓋有含硅抗反射層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分裂柵結(jié)構(gòu)下的側(cè)墻柵極隔離刻蝕膜層工藝，其特征在于，所述SOC刻蝕步驟中，SOC先于SiN被刻蝕干凈，因此曝光區(qū)域的SiN在該步驟之后也仍完整覆蓋在所述選擇柵極頂部的氧化硅掩模層的表面和所述側(cè)墻柵極頂部的自然氧化層的表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分裂柵結(jié)構(gòu)下的側(cè)墻柵極隔離刻蝕膜層工藝，其特征在于，所述含硅抗反射層刻蝕步驟中，曝光區(qū)域由于有SiN保護(hù)，使得側(cè)墻柵極，有源區(qū)頂部的氧化硅以及選擇柵極頂部的氧化硅掩模層都沒有損失。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分裂柵結(jié)構(gòu)下的側(cè)墻柵極隔離刻蝕膜層工藝，其特征在于，所述多晶硅刻蝕步驟中，該步驟多晶硅先于SiN和氧化硅被刻蝕干凈，由于選擇柵極的頂部以及側(cè)壁均有氧化硅的保護(hù)，故而不會(huì)有損失。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分裂柵結(jié)構(gòu)下的側(cè)墻柵極隔離刻蝕膜層工藝，其特征在于，所述灰化過程步驟后，未曝光區(qū)域頂部仍有SiN膜層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的分裂柵結(jié)構(gòu)下的側(cè)墻柵極隔離刻蝕膜層工藝，其特征在于，所述SiN掩模層移除步驟中，SiN先于氧化硅被刻蝕干凈，因此，在將SiN完全移除之后，暴露在外面的氧化硅完整覆蓋在所述側(cè)墻柵極的表面。