[發明專利]鈣鈦礦發光層的制備方法、應用和鈣鈦礦發光器件及其制備方法

有效

• 申請號: 201810614923.4
• 申請日: 2018-06-14
• 公開（公告）號: CN108807724B
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 李波波;張昭宇;劉浩霖;方鉉
• 申請（專利權）人: 香港中文大學（深圳）
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/54;H01L51/50
• 代理公司: 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371
• 代理人: 逯恒

1.一種鈣鈦礦發光層的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

旋涂3-5層濃度為(1-2)×10^-6mol/L的CsPbX₃鈣鈦礦量子點分散液，得到鈣鈦礦發光層；CsPbX₃中的X為I、Cl或Br中任意一種或任意兩種的組合；

每層旋涂的旋涂轉速均獨立地為2000-4000rpm；每層旋涂的旋涂時間均獨立地為30-50s。

2.按照權利要求1所述的鈣鈦礦發光層的制備方法，其特征在于，所述CsPbX₃鈣鈦礦量子點分散液的濃度為1×10^-6mol/L；旋涂層數為4層。

3.按照權利要求1或2所述的鈣鈦礦發光層的制備方法，其特征在于，所述CsPbX₃鈣鈦礦量子點分散液采用的溶劑為正辛烷或四氫呋喃。

4.一種權利要求1-3任一項所述的鈣鈦礦發光層的制備方法在制備鈣鈦礦發光器件中的應用。

5.一種鈣鈦礦發光器件，其特征在于，包括權利要求1-3任一項所述的鈣鈦礦發光層的制備方法制備得到的鈣鈦礦發光層。

6.按照權利要求5所述的鈣鈦礦發光器件，其特征在于，發光器件為發光二極管。

7.按照權利要求5所述的鈣鈦礦發光器件，其特征在于，鈣鈦礦發光二極管包括基片、依次沉積在基片表面的空穴傳輸層、所述鈣鈦礦發光層、電子傳輸層和電極材料。

8.按照權利要求7所述的鈣鈦礦發光器件，其特征在于，所述基片為ITO基片。

9.按照權利要求7所述的鈣鈦礦發光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層的空穴傳輸材料包括聚對苯撐乙烯類、聚噻吩類、聚硅烷類、三苯甲烷類、三芳胺類、腙類、吡唑啉類、嚼唑類、咔唑類或丁二烯類中的一種或至少兩種的組合。

10.按照權利要求7所述的鈣鈦礦發光器件，其特征在于，所述電子傳輸層的電子傳輸材料包括1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、4,7-二苯基-1,10-菲羅啉或氧化鋅中的一種或至少兩種的組合。

11.按照權利要求10所述的鈣鈦礦發光器件，其特征在于，所述電子傳輸層的電子傳輸材料為1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯。

12.按照權利要求7所述的鈣鈦礦發光器件，其特征在于，所述電極材料為LiF/Al或Ag中的任意一種。

13.一種權利要求6-12任一項所述的鈣鈦礦發光器件的制備方法，其特征在于，發光器件為發光二極管，鈣鈦礦發光二極管的制備方法包括以下步驟：

在基片上依次制備空穴傳輸層、所述鈣鈦礦發光層、電子傳輸層和電極材料，得到鈣鈦礦發光二極管。

14.按照權利要求13所述的鈣鈦礦發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(a)對基片進行清洗；

(b)在清洗后的基片上旋涂空穴傳輸層溶液，并進行熱處理，得到空穴傳輸層；

(c)在步驟(b)得到的空穴傳輸層上旋涂3-5層濃度為(1-3)×10^-6mol/L的CsPbX₃鈣鈦礦量子點分散液，得到鈣鈦礦發光層；

(d)在步驟(c)得到的鈣鈦礦發光層上沉積電子傳輸層，再沉積電極材料，得到鈣鈦礦發光二極管。

15.按照權利要求14所述的鈣鈦礦發光器件的制備方法，其特征在于，步驟(a)中清洗條件包括：依次用水、酮類和醇類溶劑超聲清洗10-20min，干燥后用等離子體處理5-10min。