[發(fā)明專利]一種濕法黑硅硅片的處理方法及濕法黑硅硅片的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810612547.5 | 申請日： | 2018-06-14 |
| 公開（公告）號： | CN108807568A | 公開（公告）日： | 2018-11-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張艷鶴;金井升;張昕宇;金浩 | 申請（專利權(quán)）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0236 | 分類號： | H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 豆貝貝;趙青朵 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 脫金屬 硅片 黑硅 濕法 金屬顆粒 清洗液 脫除 電化學(xué)體系 制備 電化學(xué)反應(yīng) 負(fù)極 工作電極 制絨硅片 無殘留 產(chǎn)能 廢液 溶解 排放 引入 環(huán)節(jié) | ||
1.一種濕法黑硅硅片的處理方法，其特征在于，包括：
在脫金屬清洗液中引入電化學(xué)體系，在電化學(xué)反應(yīng)下脫除制絨硅片表面的金屬顆粒；
所述電化學(xué)體系以Pt片為工作電極，且以Pt片為負(fù)極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其特征在于，所述電化學(xué)反應(yīng)的電壓≤10V。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其特征在于，所述脫金屬清洗液為硝酸液。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的處理方法，其特征在于，所述硝酸液的質(zhì)量百分濃度為10％～65％。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其特征在于，所述制絨硅片表面的金屬顆粒為Ag顆粒或Cu顆粒。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理方法，其特征在于，所述電化學(xué)反應(yīng)的溫度為25～45℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的處理方法，其特征在于，所述制絨硅片通過以下方式獲得：
利用制絨液對硅片進行制絨，得到制絨硅片；
所述制絨液包括：氫氟酸、雙氧水和硝酸鹽。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的處理方法，其特征在于，所述制絨液中，氫氟酸的質(zhì)量濃度為5％～20％，雙氧水的質(zhì)量濃度為10％～30％，硝酸鹽的質(zhì)量濃度為1％～5％。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的處理方法，其特征在于，所述制絨的溫度25～45℃，時間為1～5min。
10.一種濕法黑硅硅片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
a)利用制絨液對硅片制絨，得到制絨硅片；
b)對制絨硅片進行脫金屬處理，得到脫金屬硅片；
所述脫金屬處理為權(quán)利要求1～9中任一項所述的處理方法；
c)對所述脫金屬硅片進行后處理，得到硅片產(chǎn)品。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
