[發(fā)明專利]一種可雙路供電及讀寫的存儲裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810603125.1
• 申請日: 2018-06-12
• 公開（公告）號: CN108962302B
• 公開（公告）日: 2021-08-06
• 發(fā)明（設計）人: 唐輝;袁天亮;岳惠峰
• 申請（專利權）人: 湖北三江航天紅峰控制有限公司
• 主分類號: G11C5/14
• 分類號: G11C5/14
• 代理公司: 武漢東喻專利代理事務所(普通合伙) 42224
• 代理人: 李佑宏

1.一種可雙路供電及讀寫的存儲裝置，其特征在于，該裝置包括有電源模塊、第一電平轉換模塊、第二電平轉換模塊和存儲單元，其中，

所述電源模塊用于與外部的第一電源和/或第二電源電連接且同時與所述第一電平轉換模塊和第二電平轉換模塊電連接，該電源模塊用于提供第一電源使能信號控制所述第一電平轉換模塊工作，提供第二電源使能信號控制所述第二電平轉換模塊工作；

所述第一電平轉換模塊和第二電平轉換模塊均與所述存儲單元連接，且所述第一電平轉換模塊設置有第一讀寫接口，第二電平轉換模塊設置有第二讀寫接口，該第一讀寫接口和第二讀寫接口可在對應的第一電平轉換模塊和所述第二電平轉換模塊工作時允許外接設備通過其和對應的電平轉換模塊對存儲單元進行數(shù)據(jù)讀寫；

且所述電源模塊可在僅連接第一電源產(chǎn)生第一電源使能信號，僅連接第二電源時產(chǎn)生第二電源 使能信號，并在其同時連接第一電源和第二電源時僅產(chǎn)生第一電源使能信號或第二電源使能信號，實現(xiàn)在一種或兩種供電方式共存時外部設備可對存儲單元進行可靠數(shù)據(jù)讀寫；

所述第一電源和第二電源之間串聯(lián)有極性相反的第一二極管和第二二極管，第一電源還設置連接有第一電阻以及第一MOS管的柵極，第一二極管和第二二極管之間設置有并聯(lián)第二電阻和第三電阻，第二電阻的另一端連接第一MOS管的漏極，第三電阻的另一端設置連接第二MOS管的漏極，第一MOS管的漏極連接第二MOS管的柵極，第一電阻的另一端、第一MOS管的源極和第二MOS管的源極均接地，所述第一MOS管的漏極輸出即為所述第二電源使能信號，所述第二MOS管的漏極輸出即為所述第一電源使能信號。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種可雙路供電及讀寫的存儲裝置，其中，所述第一電源和第二電源設置可為不同或相同電壓的電源。

3.根據(jù)權利要求1所述的一種可雙路供電及讀寫的存儲裝置，其中，所述第一讀寫接口和第二讀寫接口接口類型不同。

4.根據(jù)權利要求3所述的一種可雙路供電及讀寫的存儲裝置，其中，外接設備還可以通過接口轉換電路連接所述第一電平轉換模塊和/或所述第二電平轉換模塊。

5.根據(jù)權利要求1所述的一種可雙路供電及讀寫的存儲裝置，其中，所述存儲單元可以為EMMC、Sata memory、Nandflash和串口存儲器。

6.根據(jù)權利要求1-5中任一項所述的一種可雙路供電及讀寫的存儲裝置，其中，所述電源模塊通過設置MOS管的導通或截止以控制第一電源使能信號和第二電源使能信號。