[發明專利]一種三維層狀MXene電磁屏蔽泡沫及制備方法

有效

• 申請號: 201810597985.9
• 申請日: 2018-06-12
• 公開（公告）號: CN108811478B
• 公開（公告）日: 2019-08-09
• 發明（設計）人: 殷小瑋;韓美康;李新亮
• 申請（專利權）人: 西北工業大學
• 主分類號: H05K9/00
• 分類號: H05K9/00
• 代理公司: 西北工業大學專利中心 61204
• 代理人: 王鮮凱

1.一種制備三維層狀MXene電磁屏蔽泡沫的方法，其特征在于：所述三維層狀MXene電磁屏蔽泡沫為疊層分布的MXene泡沫，所述MXene泡沫是：采用LiF和HCl刻蝕MAX相，其中LiF與HCl混合溶液的比例為5～12M∶6～10M；加入的MAX相為1～3g，獲得定向分布、長程有序的層狀MXene泡沫；

所述方法的具體步驟如下：

步驟1、采用LiF和HCl刻蝕MAX相制備MXene分散液：將5～12M的LiF與6～10M的HCl混合攪拌，然后向溶液中加入1～3g MAX相攪拌24～48h反應得到混懸液；將混懸液離心處理獲得上層黑色溶液即為Mxene，層數為1～5層的分散液；離心處理參數：離心速率為3500～10000rpm，時間為3～30min；所述MXene分散液濃度為3～15mg/mL；

步驟2：將MXene分散液置于模具中，用液氮進行定向冷凍處理；所述模具為楔形底座，底座材料為聚二甲基硅氧烷PDMS，模具其余部分材料為聚四氟乙烯；

步驟3：將冷凍后的MXene分散液和模具置于冷凍干燥機中進行干燥處理，真空干燥時間為36～96h，干燥溫度為-73～30℃，干燥結束后脫模，制得疊層分布的MXene泡沫。

2.根據權利要求1所述制備三維層狀MXene電磁屏蔽泡沫的方法，其特征在于：所述MAX相純度>98％，粒徑<200μm。

3.根據權利要求1或2所述制備三維層狀MXene電磁屏蔽泡沫的方法，其特征在于：所述MAX相為Ti₃AlC₂、Ti₂AlC或Ti₃AlCN。

4.根據權利要求1所述制備三維層狀MXene電磁屏蔽泡沫的方法，其特征在于：所述楔形聚二甲基硅氧烷底座的坡度為5～20°。