[發明專利]微帶反射單元及反射陣列天線

有效

• 申請號: 201810587653.2
• 申請日: 2018-06-08
• 公開（公告）號: CN108847524B
• 公開（公告）日: 2021-01-26
• 發明（設計）人: 薛飛
• 申請（專利權）人: 北京無線電測量研究所
• 主分類號: H01Q1/36
• 分類號: H01Q1/36;H01Q3/30;H01Q21/00
• 代理公司: 北京正理專利代理有限公司 11257
• 代理人: 付生輝

1.一種微帶反射單元，包括移相單元(10)、介質基片(20)和金屬地板(30)，其特征在于，

所述移相單元(10)包括微帶振子(101)、第一相位延遲線(102)和第二相位延遲線(103)；

所述第一相位延遲線(102)和第二相位延遲線(103)設置在微帶振子(101)兩端，且相對于所述微帶振子(101)中心對稱，且均以順時針或逆時針方向繞著所述微帶振子(101)中心延伸；

所述微帶反射單元的周期設置為入射波的0.2個中心頻率處波長。

2.根據權利要求1所述的微帶反射單元，其特征在于，包括：改變所述第一相位延遲線(102)和第二相位延遲線(103)的長度，以調節所述微帶反射單元反射相位的大小。

3.根據權利要求1所述的微帶反射單元，其特征在于，包括：所述介質基片(20)采用單層介質結構，所述單層介質的厚度為2mm，介電常數為2.2。

4.一種反射陣列天線，包括反射陣(40)和饋源(50)，其特征在于，所述反射陣(40)由權利要求1至3任一所述的微帶反射單元組成的陣列構成；所述饋源(50)采用角錐喇叭形式，用于與所述反射陣(40)之間傳遞波束。

5.根據權利要求4所述的反射陣列天線，其特征在于，包括：所述反射陣(40)中相鄰微帶反射單元的旋向相反，以利于抑制所述反射陣(40)的交叉極化電平。

6.根據權利要求4所述的反射陣列天線，其特征在于，包括：所述饋源(50)的饋電方式采用偏饋方式。

7.根據權利要求4所述的反射陣列天線，其特征在于，包括：所述反射陣(40)中微帶反射單元的第一相位延遲線(102)和第二相位延遲線(103)的長度，由所述微帶反射單元與所述饋源(50)的距離、所述微帶反射單元的位置、及所述反射陣(40)反射波束方向確定。

8.根據權利要求4至7任一所述的反射陣列天線，所述反射陣(40)的入射波的頻率為10GHz，其特征在于，包括：

所述反射陣(40)微帶反射單元周期設置為6mm；

所述微帶反射單元微帶振子(101)長度設置為5.6mm，寬度設置為0.7mm；所述微帶反射單元第一相位延遲線(102)和第二相位延遲線(103)的寬度設置為0.2mm；

所述饋源(50)的偏饋角等于15°。

9.根據權利要求8所述的反射陣列天線，其特征在于，包括：所述反射陣(40)由行數和列數均為31的所述微帶反射單元陣列組成。