[發(fā)明專利]一種熒光氣敏材料及其在苯系物傳感器上的應(yīng)用在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810583383.8 | 申請(qǐng)日: | 2018-06-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110563766A | 公開(公告)日: | 2019-12-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李瑩;張紅星;閆柯樂(lè);林雨;鄒兵;肖安山 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)石油化工股份有限公司;中國(guó)石油化工股份有限公司青島安全工程研究院 |
| 主分類號(hào): | C07F15/00 | 分類號(hào): | C07F15/00;C09K11/06;G01N21/64 |
| 代理公司: | 37252 青島智地領(lǐng)創(chuàng)專利代理有限公司 | 代理人: | 陳海濱 |
| 地址: | 266071 山東*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 熒光 氣敏材料 苯系物 聚焦透鏡 室溫?cái)嚢?/a> 雙聚體 傳感器 制備 照射 檢測(cè)器 四丁基氯化銨 平面鏡反射 叔丁基異腈 薄膜吸收 集中照射 乙腈溶劑 萃取分離 激發(fā)光 熒光儀 檢測(cè) 乙腈 加熱 薄膜 應(yīng)用 | ||
本發(fā)明提供了一種熒光氣敏材料及其在苯系物傳感器上的應(yīng)用,該熒光氣敏材料通過(guò)雙聚體[PtII(CN?tC4H9)4][PtII(CN)4]在反應(yīng)溫度180?220℃下,加熱0.5?2h制得。其中雙聚體[PtII(CN?tC4H9)4][PtII(CN)4]由Pt(CH3CN)2Cl2、[(nBu)4N]2[Pt?(CN)4]和叔丁基異腈在乙腈溶劑中攪拌制得;[Pt(CH3CN)2Cl2]由K2[PtCl4]和乙腈在水溶液中室溫?cái)嚢柚频茫籟(nBu)4N]2[Pt?(CN)4]由K2Pt(CN)4和四丁基氯化銨在水溶液中室溫?cái)嚢瑁俳?jīng)萃取分離純化制備。將所制備的熒光氣敏材料應(yīng)用在苯系物傳感器上,熒光儀的激發(fā)光經(jīng)平面鏡反射,照射到聚焦透鏡上,經(jīng)聚焦透鏡照射到熒光氣敏材料薄膜上,再經(jīng)聚焦透鏡被集中照射到熒光儀檢測(cè)器上進(jìn)行檢測(cè),通過(guò)檢測(cè)熒光氣敏材料薄膜吸收苯系物前后熒光強(qiáng)度和位移的變化,測(cè)定苯系物氣體的種類和濃度。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及熒光氣敏材料領(lǐng)域,具體涉及一種熒光氣敏材料及其在苯系物傳感器上的應(yīng)用。
背景技術(shù)
苯系物包括苯、甲苯、二甲苯、乙苯、苯乙烯等,在其生產(chǎn)、儲(chǔ)運(yùn)、使用過(guò)程中均會(huì)由于揮發(fā)而擴(kuò)散到環(huán)境中,從而引起環(huán)境污染。其中,苯系物由于具有強(qiáng)致癌和難降解性,對(duì)人體健康及生態(tài)環(huán)境造成很大威脅。因此,對(duì)環(huán)境中的苯系物進(jìn)行有效的檢測(cè)是做好人身防護(hù)的第一步。
目前,苯系物傳感器主要是基于金屬氧化物半導(dǎo)體、二極管激光紅外吸收、交叉陣列“電子鼻”傳感等。對(duì)于基于其他分析技術(shù)的傳感由于較高的成本、使用不方便等因素在苯系物檢測(cè)中存在一定限制。而金屬氧化物氣敏傳感器對(duì)氣體檢測(cè)的選擇性差,且通常需要在較高的溫度下(>200℃)進(jìn)行操作。因此,開發(fā)一種對(duì)苯系物具有較高選擇性和靈敏性的新型傳感材料,并將其應(yīng)用于日常環(huán)境中苯系物的檢測(cè)是非常有意義的。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述問(wèn)題,本發(fā)明提供了一種熒光氣敏材料及其在苯系物傳感器上的應(yīng)用,該熒光氣敏材料選擇性強(qiáng),在室溫下能夠迅速檢測(cè)環(huán)境中的苯系物有毒氣體,可將該熒光氣敏材料應(yīng)用于苯系物傳感器上,實(shí)用性強(qiáng),使用便捷,成本低。
本發(fā)明采用以下的技術(shù)方案:
一種熒光氣敏材料,通過(guò)雙聚體[PtII(CN-tC4H9)4][PtII(CN)4]在反應(yīng)溫度180-220℃下,加熱0.5-2h制備得到PtII(CN-tC4H9)2(CN)2熒光氣敏材料。
優(yōu)選地,所述反應(yīng)溫度為200℃。
優(yōu)選地,所述加熱時(shí)間為1h。
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