[發明專利]刷洗錯誤的方法和使用該方法的半導體模塊

有效

• 申請號: 201810579865.6
• 申請日: 2018-06-07
• 公開（公告）號: CN109840161B
• 公開（公告）日: 2022-09-06
• 發明（設計）人: 宋永旭;金溶美;金昌鉉
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G06F11/10
• 分類號: G06F11/10;G11C29/42
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 李少丹;許偉群

1.一種半導體模塊，包括：

控制器，其被配置為控制錯誤刷洗操作和讀取操作；以及

半導體器件，其包括多個存儲器芯片和錯誤信息信號發生電路，

其中，所述多個存儲器芯片中的至少一個存儲器芯片在所述多個存儲器芯片的讀取操作期間執行錯誤刷洗操作，

其中，所述多個存儲器芯片包括第一存儲器芯片、第二存儲器芯片、第三存儲器芯片和第四存儲器芯片；

其中，第一存儲器芯片被配置為包括第一內部錯誤校正電路，并且被配置為接收命令以產生第一錯誤檢測信號，所述第一錯誤檢測信號包括如果在讀取操作期間從第一存儲器芯片輸出的第一數據發生錯誤則被創建的脈沖；

其中，第二存儲器芯片被配置為包括第二內部錯誤校正電路，并且被配置為接收所述命令以產生第二錯誤檢測信號，所述第二錯誤檢測信號包括如果在讀取操作期間從第二存儲器芯片輸出的第二數據發生錯誤則被創建的脈沖；

其中，第三存儲器芯片被配置為包括第三內部錯誤校正電路，并且被配置為接收所述命令以產生第三錯誤檢測信號，所述第三錯誤檢測信號包括如果在讀取操作期間從第三存儲器芯片輸出的第三數據發生錯誤則被創建的脈沖；

其中，第四存儲器芯片被配置為包括第四內部錯誤校正電路，并且被配置為接收所述命令以產生第四錯誤檢測信號，所述第四錯誤檢測信號包括如果在讀取操作期間從第四存儲器芯片輸出的第四數據發生錯誤則被創建的脈沖；以及

其中，錯誤信息信號發生電路被配置為產生第一錯誤信息信號至第四錯誤信息信號，當第一錯誤檢測信號至第四錯誤檢測信號中的任意一個錯誤檢測信號的脈沖被創建至少預定次數時，所述第一錯誤信息信號至所述第四錯誤信息信號中之一被使能。

2.根據權利要求1所述的半導體模塊，其中，錯誤刷洗操作校正儲存在所述多個存儲器芯片的至少一個存儲器芯片中的數據的錯誤，并且將已校正的數據重新儲存到所述多個存儲器芯片的至少一個存儲器芯片中。

3.根據權利要求1所述的半導體模塊，

其中，所述多個存儲器芯片中的每個存儲器芯片包括內部錯誤校正電路；以及

其中，包括在執行錯誤刷洗操作的存儲器芯片中的內部錯誤校正電路不校正錯誤數據，而由包括在控制器中的錯誤校正電路來校正錯誤數據。

4.根據權利要求3所述的半導體模塊，

其中，內部錯誤校正電路被配置為校正至少兩個錯誤比特位；以及

其中，內部錯誤校正電路中的每個內部錯誤校正電路被配置為校正單個錯誤比特位。

5.根據權利要求1所述的半導體模塊，其中，控制器包括：

命令發生電路，其被配置為產生用于讀取操作和錯誤刷洗操作的命令；

錯誤刷洗控制電路，其被配置為：響應于第一錯誤信息信號至第四錯誤信息信號來產生其中至少一個存儲器選擇信號被選擇性使能的第一存儲器選擇信號至第四存儲器選擇信號；以及

錯誤校正電路，其被配置為校正執行錯誤刷洗操作的所述多個存儲器芯片中的至少一個存儲器芯片的錯誤數據，并且被配置為將已校正的數據重新儲存到所述多個存儲器芯片的至少一個存儲器芯片中。

6.根據權利要求1所述的半導體模塊，

其中，第一內部錯誤校正電路被配置為響應于第一存儲器選擇信號來執行讀取操作或錯誤刷洗操作；

其中，第二內部錯誤校正電路被配置為響應于第二存儲器選擇信號來執行讀取操作或錯誤刷洗操作；

其中，第三內部錯誤校正電路被配置為響應于第三存儲器選擇信號來執行讀取操作或錯誤刷洗操作；以及

其中，第四內部錯誤校正電路被配置為響應于第四存儲器選擇信號來執行讀取操作或錯誤刷洗操作。