[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201810578058.2
• 申請日: 2018-06-05
• 公開（公告）號: CN110571358B
• 公開（公告）日: 2022-07-19
• 發明（設計）人: 伏廣才;蔣沙沙
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/52
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一具有層間介質層的襯底，所述襯底具有顯示區和位于所述顯示區外圍的非顯示區，在所述顯示區的所述層間介質層的表面上形成有第一電極，在所述非顯示區的所述層間介質層中形成有焊盤開口，所述焊盤開口的底部暴露出所述襯底中相應的金屬層的頂部；

在所述層間介質層、第一電極以及焊盤開口的表面上覆蓋臺階緩和層材料；

去除所述第一電極頂部上以及所述焊盤開口中的臺階緩和層材料，以形成暴露出所述第一電極頂部的臺階緩和層，所述臺階緩和層覆蓋在所述第一電極的側壁上以及相鄰的所述第一電極之間的溝槽的底面上，且所述第一電極的頂部表面和所述臺階緩和層平鋪在所述層間介質層上的水平部分的頂部表面之間的高度差小于所述第一電極的頂部表面和所述層間介質層的頂部表面之間的高度差；

在所述第一電極頂部以及所述臺階緩和層的表面上依次形成電極間介質層以及與所述第一電極相對應的第二電極，所述電極間介質層包括有機發光層，所述電極間介質層暴露出所述焊盤開口并覆蓋所述顯示區的第一電極、臺階緩和層以及層間介質層的表面，所述第二電極位于所述顯示區中；所述臺階緩和層為具有防粘性能的有機化合物，與所述層間介質層和所述電極間介質層之間具有較強的粘附力，而與所述焊盤開口底部暴露的金屬層之間具有相對較弱的粘附力。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，提供所述襯底的步驟包括：

提供一基底，采用CMOS工藝在所述基底上形成至少一個晶體管；

采用多層金屬互連工藝在所述基底和所述晶體管元件的表面上形成與所述晶體管電連接的多層金屬互連結構，所述多層金屬互連結構包括最頂層互連金屬層、位于所述最頂層互連金屬層之下的次頂層互連金屬層、位于最頂層互連金屬層與次頂層互連金屬層之間的所述層間介質層以及位于所述層間介質層的電連接所述最頂層互連金屬層與次頂層互連金屬層的頂部導電插塞結構；

圖案化所述最頂層互連金屬層，以形成所述第一電極，并暴露出所述層間介質層的用于形成所述焊盤開口的區域表面；

刻蝕暴露出的所述層間介質層用于形成所述焊盤開口的區域表面，以形成所述焊盤開口，所述焊盤開口暴露出所述次頂層互連金屬層的頂部。

3.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述臺階緩和層的材料包括聚四氟乙烯、聚對二甲苯、全氟癸羧酸、全氟辛基三氯硅烷、過氟奎基三氯硅烷、十八烷基三氯硅烷、二氯二甲基硅烷、氯代硅烷、氯氟硅烷、甲氧基硅烷、三氯硅烷、硅酮、聚苯乙烯、聚氨基甲酸酯和聚硅氮烷中的至少一種。

4.如權利要求1至3中任一項所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一電極為陰極，所述第二電極為陽極，且所述第二電極的材料包括銦錫氧化物和銦鋅氧化物中的一種。

5.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述第一電極以及所述臺階緩和層的表面上依次形成電極間介質層和第二電極的步驟包括：

在所述第一電極和所述臺階緩和層的表面上覆蓋電極間介質層；

圖案化所述電極間介質層，以暴露出所述焊盤開口；

在所述電極間介質層以及所述焊盤開口的表面上覆蓋第二電極層；

圖案化所述第二電極層，以形成暴露出所述焊盤開口的第二電極。

6.如權利要求5所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在圖案化所述電極間介質層之后，進行表面清洗，以去除所述焊盤開口中剩余的臺階緩和層材料。

7.如權利要求6所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述第一電極、層間介質層和焊盤開口的表面上覆蓋所述臺階緩和層材料之前，先在所述焊盤開口中形成鋁墊；或者，在形成所述第二電極之后，在所述焊盤開口中形成鋁墊。