[發(fā)明專利]基于六角ErMnO3 有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810575100.5 | 申請日: | 2018-06-06 |
| 公開(公告)號: | CN108962897B | 公開(公告)日: | 2021-07-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 曾敏;陳義;李燁;陸旭兵;高興森;劉俊明 | 申請(專利權(quán))人: | 華南師范大學(xué) |
| 主分類號: | H01L27/11502 | 分類號: | H01L27/11502;H01L27/11507 |
| 代理公司: | 廣州駿思知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44425 | 代理人: | 潘雯瑛 |
| 地址: | 510006 廣東省廣州市番禺區(qū)外*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 六角 ermno base sub | ||
本發(fā)明涉及一種基于六角ErMnO3外延薄膜的鐵電存儲器件及其制備方法。所述制備方法包括:采用激光脈沖沉積法,先在Al2O3單晶襯底上沉積底電極Pt外延薄膜,再在所述底電極Pt外延薄膜上沉積六角ErMnO3外延薄膜,并對沉積的六角ErMnO3外延薄膜進行退火處理。通過本發(fā)明制得的鐵電存儲器件具有較好的鐵電性,存儲信息穩(wěn)定,保持性能好,讀寫方便。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及鐵電信息存儲器件領(lǐng)域,特別是涉及一種基于六角ErMnO3外延薄膜的鐵電存儲器件及其制備方法。
背景技術(shù)
隨著人類社會的發(fā)展,人們對材料性能的要求也越來越高。當(dāng)前,新材料的研究正沿著多功能化、高性能化、復(fù)合化方向發(fā)展。人們越來越寄希望于把電和磁性質(zhì)整合到多功能器件中。多鐵性材料就是這樣一種多功能型的材料,它集鐵電性和磁性于一體,它不但同時具有單一鐵電材料和磁性材料的特性,而且具有潛在的磁電耦合效應(yīng),即電極化和磁化之間的相互調(diào)控。多鐵性材料能夠結(jié)合傳統(tǒng)的磁存儲和鐵電存儲各自的優(yōu)點,同時摒棄各自的缺點,實現(xiàn)信息存儲的電寫磁讀。正是因為這些特點,它將推動下一代信息存儲技術(shù)的新發(fā)展。另一方面,多鐵性材料中同時包含晶格和電子自由度即自旋、電荷和軌道,并且這些自由度同時起作用。因此,多鐵性材料為研究交叉耦合作用提供了廣闊的舞臺,同時具有基礎(chǔ)研究和應(yīng)用基礎(chǔ)研究的重大意義。鐵酸鉍BiFeO3是一種重要的多鐵性材料,但是鐵酸鉍BiFeO3中的Bi易揮發(fā)難于制備。
發(fā)明內(nèi)容
基于此,本發(fā)明的目的在于,提供一種基于六角ErMnO3外延薄膜的鐵電存儲器件,其優(yōu)點是儲存信息集成化,保持性能好,讀寫方便。本發(fā)明還提供一種基于六角ErMnO3外延薄膜的鐵電存儲器件的制備方法,使其性能得到優(yōu)化。
本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的:基于六角ErMnO3外延薄膜的鐵電存儲器件的制備方法,包括以下步驟:
S1:采用激光脈沖沉積法在Al2O3單晶襯底上沉積底電極Pt外延薄膜;沉積過程中,真空度≤10-4Pa,生長溫度為445~455℃;
S2:采用激光脈沖沉積法在所述底電極Pt外延薄膜上沉積六角ErMnO3外延薄膜,并對沉積的六角ErMnO3外延薄膜進行退火處理;沉積過程中,生長氧壓為0.8~1.2Pa,生長溫度為845~855℃;退火過程中,退火氧壓為90~110Pa,退火溫度為580~620℃,保溫時間為 25~35min,降溫速率為2~4℃/min。
相對于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明將多鐵性的六角ErMnO3外延薄膜和底電極Pt復(fù)合,構(gòu)成異質(zhì)結(jié),形成鐵電儲存器件,并對工藝參數(shù)進行改進,使制得的鐵電存儲器件具有較好的鐵電性。
進一步地,所述步驟S1的沉積過程中,激光能量密度為3.5~4.5J/cm2,頻率為4.5~5.5Hz,靶間距為4.5~5.5cm。
進一步地,所述步驟S1的沉積過程中,真空度為10-4Pa,生長溫度為450℃,激光能量密度為4J/cm2,頻率為5Hz,靶間距為5cm。真空度和溫度會影響單晶外延薄膜的結(jié)晶與成相,激光能量密度和頻率會影響沉積速率,靶間距會影響薄膜均勻性,在該工藝條件下,可以獲得均勻性好、高質(zhì)量的Pt外延薄膜。
進一步地,所述步驟S1沉積的底電極Pt外延薄膜的厚度為45~55nm。優(yōu)選為50nm。
進一步地,所述步驟S2的沉積過程中,激光能量密度為1.5~2.5J/cm2,頻率為4.5~5.5Hz,靶間距為4.5~5.5cm。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





