[發(fā)明專利]存儲器中子陣列之間的數(shù)據(jù)傳送有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810573822.7 | 申請日： | 2018-06-06 |
| 公開（公告）號： | CN109003640B | 公開（公告）日： | 2021-06-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | J·T·扎沃德恩;G·E·胡申;R·C·墨菲 | 申請（專利權(quán)）人： | 美光科技公司 |
| 主分類號： | G11C16/06 | 分類號： | G11C16/06;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人： | 王龍 |
| 地址： | 美國愛*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 存儲器 中子 陣列 之間 數(shù)據(jù) 傳送 | ||
1.一種設(shè)備，其包括：
第一存儲器單元陣列及第二存儲器單元陣列，其中所述第一存儲器單元陣列的第一部分的存儲器單元及所述第二存儲器單元陣列的第一部分的存儲器單元耦合到第一感測電路條帶；及
第三存儲器單元陣列，其中所述第三存儲器單元陣列的第一部分的存儲器單元耦合到第二感測電路條帶，且其中所述第二存儲器單元陣列的第二部分的存儲器單元及所述第三存儲器單元陣列的第二部分的存儲器單元耦合到第三感測電路條帶；且
其中所述第二存儲器單元陣列的特定行通過將來自所述第二存儲器單元陣列中的所述第一部分的存儲器單元的所述存儲器單元耦合到來自所述第二存儲器單元陣列中的所述第二部分的存儲器單元的鄰近存儲器單元而包含來自所述第二存儲器單元陣列中的所述第一部分的存儲器單元的存儲器單元，其中所述第二存儲器單元陣列中的所述第一部分的存儲器單元的所述存儲器單元耦合到來自所述第二存儲器單元陣列中的所述第二部分的存儲器單元的存儲器單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述設(shè)備經(jīng)配置以經(jīng)由所述第一感測電路條帶、所述第二存儲器單元陣列的所述第一及第二部分的存儲器單元、所述第三感測電路條帶及所述第三存儲器單元陣列的所述第二部分的存儲器單元將數(shù)據(jù)從所述第一存儲器單元陣列的所述第一部分的存儲器單元移動到所述第三存儲器單元陣列的所述第一部分的存儲器單元。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述設(shè)備經(jīng)配置以經(jīng)由所述第一感測電路 條帶將所述數(shù)據(jù)的補集從所述第一存儲器單元陣列的所述第一部分的存儲器單元移動到所述第二存儲器單元陣列的所述特定行上的所述第二存儲器單元陣列的所述第一部分的存儲器單元。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述設(shè)備經(jīng)配置以將所述數(shù)據(jù)的補集從所述特定行上的所述第二存儲器單元陣列的第一部分的存儲器單元移動到所述特定行上的所述第二存儲器單元陣列的所述第二部分的存儲器單元。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第三存儲器單元陣列的特定行通過將來自所述第一部分的存儲器單元的所述存儲器單元短接到來自所述第二部分的存儲器單元的鄰近存儲器單元包含來自耦合到來自所述第三存儲器單元陣列中的所述第二部分的存儲器單元的存儲器單元的所述第三存儲器單元陣列中的所述第一部分的存儲器單元的存儲器單元。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中所述設(shè)備經(jīng)配置以經(jīng)由所述第三感測電路條帶將數(shù)據(jù)從所述第二存儲器單元陣列的所述特定行上的所述第二部分的存儲器單元移動到所述第三存儲器單元陣列的所述特定行上的所述第一部分的存儲器單元。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中所述設(shè)備經(jīng)配置以將數(shù)據(jù)從所述第三存儲器單元陣列的所述特定行上的所述第一部分的存儲器單元移動到所述第三存儲器單元陣列的所述特定行上的所述第二部分的存儲器單元。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中所述設(shè)備經(jīng)配置以將數(shù)據(jù)從所述第三存儲器單元陣列的所述特定行上的所述第二部分的存儲器單元移動到所述第三存儲器單元陣列中的另一行上的所述第二部分的存儲器單元。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第三感測電路條帶位于所述第一感測電路條帶和所述第二感測電路條帶之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述第一存儲器單元陣列是子陣列，所述第二存儲器單元陣列是子陣列，以及所述第三存儲器單元陣列是子陣列，并且其中所述第一存儲器單元陣列中的所述第一部分的存儲器單元包含第一存儲器單元陣列中的一半存儲器單元。
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