[發(fā)明專利]電子裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011024811.7
• 申請(qǐng)日: 2020-09-25
• 公開（公告）號(hào): CN112686386A
• 公開（公告）日: 2021-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳士元;李峻霣;許瑞福;陳炯佑;葉庭懿;吳俞叡;張燿均
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): G06N10/00
• 分類號(hào): G06N10/00
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國(guó)

電子裝置包括基板、晶體管和環(huán)形共振器。晶體管在基板上方。將晶體管配置為產(chǎn)生量子點(diǎn)。環(huán)形共振器在基板上方，并且包括導(dǎo)電環(huán)和阻抗匹配元件。導(dǎo)電環(huán)與晶體管重疊。阻抗匹配元件在導(dǎo)電環(huán)上并且被配置為決定環(huán)形共振器的共振頻率。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及電子裝置。

背景技術(shù)

在構(gòu)建可擴(kuò)展的基于硅的量子計(jì)算機(jī)的路徑圖上，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了幾個(gè)里程碑。以下列舉一些實(shí)施例：?jiǎn)坞x子布植技術(shù)的發(fā)展，此技術(shù)允許將單個(gè)磷原子精確地放置在硅中；將先進(jìn)的納米制造、微波和低溫技術(shù)應(yīng)用于具有電荷靈敏度接近量子極限的單電子晶體管(射頻單電子晶體管(radio-frequency single-electron transistor,rf-SET))的生產(chǎn)和特性分析；透過結(jié)合單離子布植和單電子晶體管技術(shù)獲得對(duì)單個(gè)磷施體(donor)之間的單電子轉(zhuǎn)移的控制和檢測(cè)；以及，用于通用容錯(cuò)量子計(jì)算(universal fault-tolerantquantum computation)和后續(xù)的誤差臨界值分析的量子裝置結(jié)構(gòu)的布局。

發(fā)明內(nèi)容

依據(jù)本公開的部分實(shí)施例，提供一種電子裝置，包含：基板、晶體管和環(huán)形共振器。晶體管位于基板上，其中晶體管被配置為產(chǎn)生量子點(diǎn)。環(huán)形共振器位于基板上，其中環(huán)形共振器包含：導(dǎo)電環(huán)和阻抗匹配元件。導(dǎo)電環(huán)與晶體管重疊。阻抗匹配元件位于導(dǎo)電環(huán)上，并被配置為決定環(huán)形共振器的共振頻率。

附圖說明

當(dāng)結(jié)合附圖閱讀時(shí)，根據(jù)以下詳細(xì)描述可以最好地理解本公開的各方面。應(yīng)理解，根據(jù)行業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各種特征未按比例繪制。實(shí)際上，為了清楚起見，各種特征的尺寸可以任意地增加或減小。

圖1A和圖1B是在各種實(shí)施例中根據(jù)本公開的一些方面的用于制造電子裝置的方法的流程圖；

圖2A至圖13B繪示根據(jù)本公開的一些實(shí)施例在制造電子裝置的各個(gè)階段中的方法；

圖14A是圖12A中環(huán)形共振器和穿隧能障的俯視圖；

圖14B至圖14F是根據(jù)一些實(shí)施例的環(huán)形共振器和穿隧能障的俯視圖；

圖15是在各個(gè)實(shí)施例中根據(jù)本公開的一些方面的用于制造電子裝置的方法M50的流程圖；

圖16至圖19繪示根據(jù)本公開的一些實(shí)施例在制造電子裝置的各個(gè)階段中的方法；

圖20是根據(jù)本公開的一些實(shí)施例的電子裝置的俯視圖；

圖21A至圖21E是根據(jù)一些實(shí)施例的電子裝置的俯視圖。

【符號(hào)說明】

101:保護(hù)層

102:接觸

104:接觸

106:接觸

108:接觸

110:基板

110t:頂表面

112:源極/漏極區(qū)域

114:主動(dòng)區(qū)域

116:穿隧能障

120:遮罩層

122:開口

130:第一隔離層

132:開口

140:第一介電層

150:空乏柵極

150':導(dǎo)電材料

152:部分

154:部分