[發(fā)明專利]功率電子系統(tǒng)及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810568014.1 | 申請日： | 2018-06-04 |
| 公開（公告）號： | CN108990369B | 公開（公告）日： | 2021-02-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | H.P.J.德波克;J.L.斯莫倫斯基 | 申請（專利權(quán)）人： | 通用電氣公司 |
| 主分類號： | H05K7/20 | 分類號： | H05K7/20 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 鄭浩;閆小龍 |
| 地址： | 美國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 功率 電子 系統(tǒng) 及其 制造 方法 | ||
1.一種功率電子系統(tǒng)，包括：
限定外部區(qū)域的至少一個外壁，所述外部區(qū)域包括多個第一電子部件，所述多個第一電子部件具有第一正常工作最高溫度并且能夠產(chǎn)生電磁場；
限定內(nèi)部區(qū)域的至少一個內(nèi)壁，所述內(nèi)部區(qū)域設(shè)置在所述外部區(qū)域內(nèi)，所述內(nèi)部區(qū)域包括多個第二電子部件，所述多個第二電子部件具有第二正常工作最高溫度，所述第一正常工作最高溫度高于所述第二正常工作最高溫度，所述內(nèi)部區(qū)域大體上被電磁密封以免受由所述多個第一電子部件產(chǎn)生的電磁干擾；以及
連接到所述至少一個內(nèi)壁的熱傳遞組件，其中所述熱傳遞組件被配置成通過從所述內(nèi)部區(qū)域向所述外部區(qū)域傳遞熱來促進(jìn)使所述多個第二電子部件工作在低于所述第二正常工作最高溫度的溫度處。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率電子系統(tǒng)，其中，所述熱傳遞組件包括熱泵。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率電子系統(tǒng)，其中，所述熱泵包括熱電冷卻器。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率電子系統(tǒng)，其中，所述熱泵包括制冷系統(tǒng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的功率電子系統(tǒng)，其中，所述熱泵包括熱離子系統(tǒng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率電子系統(tǒng)，其中，所述多個第一電子部件包括碳化硅部件、硅部件和/或氮化鎵部件。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率電子系統(tǒng)，其中，所述多個第二電子部件包括硅部件。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率電子系統(tǒng)，進(jìn)一步包括絕緣層，所述絕緣層圍繞所述至少一個內(nèi)壁延伸，以隔離所述內(nèi)部區(qū)域。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率電子系統(tǒng)，進(jìn)一步包括傳感器，所述傳感器配置成：
監(jiān)測所述內(nèi)部區(qū)域內(nèi)的溫度；以及
當(dāng)所監(jiān)測溫度達(dá)到閾值溫度時，激活所述熱傳遞組件。
10.一種功率電子系統(tǒng)，包括：
限定外部區(qū)域的至少一個外壁，所述外部區(qū)域包括多個第一電子部件，所述多個第一電子部件具有第一正常工作最高溫度并且能夠產(chǎn)生電磁場；
限定多個內(nèi)部區(qū)域的多個內(nèi)壁，所述多個內(nèi)部區(qū)域中的每個內(nèi)部區(qū)域設(shè)置在所述外部區(qū)域內(nèi)，所述多個內(nèi)部區(qū)域中的每個內(nèi)部區(qū)域包括多個第二電子部件，所述多個第二電子部件具有第二正常工作最高溫度，所述第一正常工作最高溫度高于所述第二正常工作最高溫度，每個內(nèi)部區(qū)域大體上被電磁密封以免受由所述多個第一電子部件產(chǎn)生的電磁干擾；以及
連接到所述多個內(nèi)壁的多個熱傳遞組件，所述多個熱傳遞組件中的每個熱傳遞組件被配置成冷卻所述多個內(nèi)部區(qū)域中與這個熱傳遞組件相關(guān)聯(lián)的內(nèi)部區(qū)域，其中所述多個熱傳遞組件配置成通過從所述多個內(nèi)部區(qū)域向所述外部區(qū)域傳遞熱來促進(jìn)使所述多個第二電子部件工作在低于所述第二正常工作最高溫度的溫度處。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的功率電子系統(tǒng)，其中，所述多個熱傳遞組件包括熱泵。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的功率電子系統(tǒng)，其中，所述熱泵包括熱電冷卻器。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的功率電子系統(tǒng)，其中，所述多個第一電子部件包括碳化硅部件、硅部件和/或氮化鎵部件。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的功率電子系統(tǒng)，其中，所述多個第二電子部件包括硅部件。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的功率電子系統(tǒng)，進(jìn)一步包括多個絕緣層，其中所述多個絕緣層中的每個絕緣層圍繞所述多個內(nèi)壁中的至少一個內(nèi)壁延伸，所述多個絕緣層中的每個絕緣層配置成隔離與所述每個絕緣層關(guān)聯(lián)的所述多個內(nèi)部區(qū)域中的內(nèi)部區(qū)域。
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