[發明專利]有機發光顯示面板及其顯示裝置有效
| 申請號: | 201810551452.7 | 申請日: | 2018-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN108550614B | 公開(公告)日: | 2020-03-13 |
| 發明(設計)人: | 程爽;牛晶華;王湘成;朱晴;劉銀河;那曉曦;文磊 | 申請(專利權)人: | 上海天馬有機發光顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京匯思誠業知識產權代理有限公司 11444 | 代理人: | 王剛;龔敏 |
| 地址: | 201201 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示 面板 及其 顯示裝置 | ||
本發明提供有機發光顯示面板及顯示裝置,涉及顯示領域,用于避免電子和空穴復合中心偏移。有機發光顯示面板包括陰極與有機發光層之間的第一電子傳輸層,陽極與有機發光層之間的空穴注入層;第一電子傳輸層包括第一摻雜劑,第一摻雜劑包括堿土金屬元素或者稀土金屬元素,空穴注入層包括第二摻雜劑;第一電子傳輸層中電子傳輸基質的最低未占據軌道能級LUMO1與有機發光層中主體材料的最低未占據軌道能級LUMO4之間滿足:|LUMO1?LUMO4|<1.7eV;空穴注入層中空穴注入基質的最高占據軌道能級HOMO5與有機發光層中主體材料的最高占據軌道能級HOMO4之間滿足:|HOMO5?HOMO4|<1eV;第一摻雜劑的功函數與陰極的功函數之間滿足:第二摻雜劑的功函數與陽極的功函數之間滿足:
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種有機發光顯示面板及其顯示裝置。
背景技術
近年來,隨著顯示技術的不斷發展,各類顯示裝置應運而生,如液晶顯示裝置、有機發光顯示裝置等,已經成為時下顯示行業的主流產品,其中,有機發光顯示面板更以輕薄、低功耗、高亮度、高對比度、高分辨率、寬視角等一系列優異的性能而成為顯示行業發展的主流趨勢,是當前顯示領域爭相研究的熱點。
有機發光顯示面板的重要組成部分是有機發光二極管,有機發光二極管通過施加于陽極和陰極之間的電場驅動位于陽極和陰極之間的發光層而發出光線,在現有的有機發光二極管中,因空穴遷移率通常會大于電子遷移率,從而會造成空穴和電子的復合中心偏離發光層,而導致發光層的發光效率下降,因此,如何進一步平衡有機發光二極管中的空穴和電子的遷移率,使得二者的復合中心不發生偏離,是本領域亟待解決的問題。
發明內容
有鑒于此,本發明實施例提供一種有機發光顯示面板及其顯示裝置,用于避免電子和空穴復合中心偏移,提升發光效率。
本發明實施例的一方面提供一種有機發光顯示面板,該有機發光顯示面板包括:
陣列基板,所述陣列基板包括多個驅動單元;
與所述驅動單元對應設置的有機發光器件,所述有機發光器件包括陽極和陰極,以及位于所述陽極和所述陰極之間的有機功能層,所述有機功能層包括有機發光層,和位于所述陰極與所述有機發光層之間的第一電子傳輸層,以及位于所述陽極與所述有機發光層之間的空穴注入層;
其中,所述第一電子傳輸層包括電子傳輸基質和第一摻雜劑,所述第一摻雜劑包括堿土金屬元素或者稀土金屬元素,所述空穴注入層包括空穴注入基質和第二摻雜劑;
所述第一電子傳輸層中電子傳輸基質的最低未占據軌道能級LUMO1與所述有機發光層中主體材料的最低未占據軌道能級LUMO4之間滿足:
|LUMO1-LUMO4|<1.7eV;
所述空穴注入層中空穴注入基質的最高占據軌道能級HOMO5與所述有機發光層中主體材料的最高占據軌道能級HOMO4之間滿足:
|HOMO5-HOMO4|<1eV;
并且,所述第一摻雜劑的功函數與所述陰極的功函數之間滿足:
所述第二摻雜劑為無機材料,且所述第二摻雜劑的功函數φ2與所述陽極的功函數φ3之間滿足:φ2>φ3;或者
所述第二摻雜劑為有機材料,所述第二摻雜劑的最低未占據軌道能級LUMO與所述陽極的功函數φ3之間滿足|LUMO-φ3|<0.8eV。
本發明實施例的另一方面提供一種有機發光顯示裝置,所述有機發光顯示裝置包括上述本發明前一方面涉及到的所述的有機發光顯示面板。
如上所述的方面和任一可能的實現方式的有益效果如下:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





