[發明專利]LTPS TFT基板的制作方法及LTPS TFT基板

有效

• 申請號: 201810546898.0
• 申請日: 2018-05-31
• 公開（公告）號: CN108766870B
• 公開（公告）日: 2020-06-30
• 發明（設計）人: 程濤
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/84;H01L21/336;H01L27/12;H01L29/423;H01L29/786
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂;程曉

1.一種LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1、提供襯底基板(10)，在所述襯底基板(10)上形成多晶硅有源層(30)；

步驟S2、在所述襯底基板(10)上沉積形成覆蓋多晶硅有源層(30)的柵極絕緣層(40)，用含氮的等離子體對所述柵極絕緣層(40)進行摻氮處理；

步驟S3、在柵極絕緣層(40)上形成柵極(20)及源漏極(50)；

所述步驟S1或步驟S3還包括對所述多晶硅有源層(30)進行P型離子摻雜；

所述步驟S2中，通過反應氣體在PECVD設備內形成含氮的等離子對所述柵極絕緣層(40)進行摻氮處理，所述反應氣體為氨氣；所述PECVD設備對柵極絕緣層(40)進行摻氮處理時所使用的電功率為6000-8000W，對所述柵極絕緣層(40)進行摻氮處理的時間為40-70s。

2.如權利要求1所述的LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，所述柵極絕緣層(40)為氧化硅層。

3.如權利要求1所述的LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S3還包括在形成源漏極(50)之前，在所述柵極絕緣層(40)上形成對應于所述多晶硅有源層(30)兩端上方的過孔(45)，在形成源漏極(50)之后，所述源漏極(50)通過所述過孔(45)與所述多晶硅有源層(30)相接觸。

4.如權利要求1所述的LTPS TFT基板的制作方法，其特征在于，對所述多晶硅有源層(30)進行P型離子摻雜時所摻入的離子為硼離子。

5.一種LTPS TFT基板，其特征在于，包括襯底基板(10)、設于襯底基板(10)上的多晶硅有源層(30)、設于襯底基板(10)上覆蓋多晶硅有源層(30)的柵極絕緣層(40)及設于所述柵極絕緣層(40)上的柵極(20)和源漏極(50)；

所述柵極絕緣層(40)經過摻氮處理；

所述多晶硅有源層(30)經過P型離子摻雜；

通過反應氣體在PECVD設備內形成含氮的等離子對所述柵極絕緣層(40)進行摻氮處理，所述反應氣體為氨氣；所述PECVD設備對柵極絕緣層(40)進行摻氮處理時所使用的電功率為6000-8000W，對所述柵極絕緣層(40)進行摻氮處理的時間為40-70s。

6.如權利要求5所述的LTPS TFT基板，其特征在于，所述柵極絕緣層(40)為氧化硅層。

7.如權利要求5所述的LTPS TFT基板，其特征在于，所述柵極絕緣層(40)上在對應于所述多晶硅有源層(30)兩端上方設有過孔(45)，所述源漏極(50)通過所述過孔(45)與所述多晶硅有源層(30)相接觸。