[發明專利]改善異形屏面板畫質的設計方法及結構

在審

• 申請號: 201810546896.1
• 申請日: 2018-05-31
• 公開（公告）號: CN108732826A
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發明（設計）人: 唐岳軍
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1335;G09F9/33
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂;劉巍

1.一種改善異形屏面板畫質的設計方法，其特征在于，包括：

步驟10、沿面板實際顯示邊緣設置初始遮光層；

步驟20、對于未被初始遮光層完全遮擋的像素，如果該像素包含至少一個完全被初始遮光層遮擋的子像素，該像素設置為完全不顯示或者增加遮光層完全遮擋該像素；

步驟30、對于未被初始遮光層完全遮擋的像素，如果該像素的全部子像素都未被初始遮光層完全遮擋，該像素設置為全部子像素在相同驅動條件下的亮度比值等于或接近于未被初始遮光層遮擋的正常像素的全部子像素在相同驅動條件下的亮度比值。

2.如權利要求1所述的改善異形屏面板畫質的設計方法，其特征在于，步驟30中，設置該像素全部子像素的亮度比值通過設置該像素全部子像素的開口率比值進行。

3.如權利要求2所述的改善異形屏面板畫質的設計方法，其特征在于，對于液晶面板，設置該像素全部子像素的開口率比值通過設置該像素全部子像素附加的遮光層進行；或者

對于OLED面板，設置該像素全部子像素的開口率比值通過設置該像素全部子像素的像素限定層面積或者附加的像素限定層進行。

4.如權利要求1所述的改善異形屏面板畫質的設計方法，其特征在于，對于液晶面板，步驟30中，設置該像素全部子像素的亮度比值通過設置該像素全部子像素的像素電極的形狀/大小/面積進行；或者

對于OLED面板，步驟30中，設置該像素全部子像素的亮度比值通過設置該像素全部子像素的陽極電極或陰極電極面積進行。

5.如權利要求1所述的改善異形屏面板畫質的設計方法，其特征在于，對于液晶面板，步驟30中，設置該像素全部子像素的亮度比值通過設置該像素全部子像素所對應的為像素電極充電的TFT的溝道區寬度和/或溝道區長度進行；或者

對于OLED面板，步驟30中，設置該像素全部子像素的亮度比值通過設置該像素全部子像素所對應的驅動TFT的溝道區寬度和/或溝道區長度進行。

6.如權利要求1所述的改善異形屏面板畫質的設計方法，其特征在于，對于液晶面板，步驟30中，設置該像素全部子像素的亮度比值包括：

通過設置該像素全部子像素的開口率比值進行；和/或

通過設置該像素全部子像素的像素電極的形狀/大小/面積進行；和/或

通過設置該像素全部子像素所對應的為像素電極充電的TFT的溝道區寬度和/或溝道區長度進行。

7.如權利要求1所述的改善異形屏面板畫質的設計方法，其特征在于，對于OLED面板，步驟30中，設置該像素全部子像素的亮度比值包括：

通過設置該像素全部子像素的開口率比值進行；和/或

通過設置該像素全部子像素的陽極電極或陰極電極面積進行；和/或

通過設置該像素全部子像素所對應的驅動TFT的溝道區寬度和/或溝道區長度進行。

8.一種改善異形屏面板畫質的結構，其特征在于，包括：沿面板實際顯示邊緣設置的初始遮光層、未被初始遮光層遮擋的正常像素、被初始遮光層完全遮擋的像素以及未被初始遮光層完全遮擋的像素；該未被初始遮光層完全遮擋的像素包括第一像素和/或第二像素；該第一像素包含至少一個完全被初始遮光層遮擋的子像素，并且該第一像素設置為完全不顯示或者增加遮光層完全遮擋該第一像素；該第二像素所包含的全部子像素都未被初始遮光層完全遮擋，該第二像素設置為全部子像素在相同驅動條件下的亮度比值等于或接近于未被初始遮光層遮擋的正常像素的全部子像素在相同驅動條件下的亮度比值。

9.如權利要求8所述的改善異形屏面板畫質的結構，其特征在于，設置該第二像素全部子像素的亮度比值通過設置該第二像素全部子像素的開口率比值進行。