[發(fā)明專(zhuān)利]一種GaN中子探測(cè)器用的大面積厚膜6

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810533803.1
• 申請(qǐng)日: 2018-05-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108796447B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-06-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱志甫;鄒繼軍;湯彬;黃河;彭新村
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 東華理工大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): C23C14/18
• 分類(lèi)號(hào): C23C14/18;C23C14/30;C23C14/58;C23C14/06;G01T3/08
• 代理公司: 江西省專(zhuān)利事務(wù)所 36100
• 代理人: 胡里程

1.一種GaN中子探測(cè)器用的大面積厚膜⁶LiF中子轉(zhuǎn)換層制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

（1）將GaN襯底放入120度的H₂SO₄:H₂O₂=5:1混合液中煮沸5分鐘，而后放入HCL:DI=3:1混合液中浸泡5分鐘，去除GaN表面的氧化物；

（2）將GaN襯底利用丙酮、異丙醇、去離子水各超聲清洗5分鐘，去除GaN表面的有機(jī)和無(wú)機(jī)物的沾污，利用高純氮?dú)獯蹈桑?/p>

（3）在清洗后的GaN襯底正表面沉積Au，形成正面Au電極；

（4）利用光刻方法在GaN正面Au電極上形成含有圖形化的光刻膠；

（5）將含有圖形化光刻膠的GaN正面Au電極利用濕法腐蝕方法，獲得GaN圖形化Au電極；

（6）利用負(fù)膠剝離液將GaN圖形化Au電極表面的光刻膠去除；

（7）利用真空鍍膜設(shè)備在GaN圖形化Au電極正表面蒸鍍20～50μm的大面積厚膜⁶LiF。

2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN中子探測(cè)器用的大面積厚膜⁶LiF中子轉(zhuǎn)換層制備方法，其特征在于：所述的GaN襯底為半絕緣自支撐襯底，厚度為50～200 μm。

3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN中子探測(cè)器用的大面積厚膜⁶LiF中子轉(zhuǎn)換層制備方法，其特征在于：所述的GaN襯底正表面沉積Au的厚度為0.5～2 μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN中子探測(cè)器用的大面積厚膜⁶LiF中子轉(zhuǎn)換層制備方法，其特征在于：所述的在GaN襯底正表面沉積Au的方法為電子束蒸發(fā)。

5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN中子探測(cè)器用的大面積厚膜⁶LiF中子轉(zhuǎn)換層制備方法，其特征在于：所述的含有圖形化的光刻膠是負(fù)膠，膠的厚度為4～10 μm。

6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN中子探測(cè)器用的大面積厚膜⁶LiF中子轉(zhuǎn)換層制備方法，其特征在于：所述的圖形化的形狀為凹坑型，圖形的尺寸為：高度不大于1 μm，間距不大于1 μm，底寬不大于1 μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN中子探測(cè)器用的大面積厚膜⁶LiF中子轉(zhuǎn)換層制備方法，其特征在于：所述的濕法腐蝕利用的溶劑為HNO₃:CH₃COOH:H₃PO₄:H₂O，其溶液比例為1:4:4:1，腐蝕時(shí)間2～5分鐘。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN中子探測(cè)器用的大面積厚膜⁶LiF中子轉(zhuǎn)換層制備方法，其特征在于：所述的真空鍍膜設(shè)備為熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)和磁控濺射中的一種或幾種，真空度不低于8×10^-6pa。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN中子探測(cè)器用的大面積厚膜⁶LiF中子轉(zhuǎn)換層制備方法，其特征在于：所述的在真空鍍膜時(shí)襯底需加熱，溫度在300～500度，且制備⁶LiF整個(gè)過(guò)程都需要加熱。

10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN中子探測(cè)器用的大面積厚膜⁶LiF中子轉(zhuǎn)換層制備方法，其特征在于：所述的⁶LiF真空鍍膜方法前期采用低鍍膜速率，鍍膜速率在0.1～0.5nm/s，蒸鍍厚度在0.2～0.5 μm，后期采用高鍍膜速率，蒸鍍20～50μm的⁶LiF中子轉(zhuǎn)換層。